[发明专利]一种超小芯距的光纤阵列在审
| 申请号： | 201410744413.0 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104391352A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 谢卉;屈文俊;刘光清;杨睿;凌九红;周婷婷;夏源;孙莉萍;胡强高 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/04 | 分类号： | G02B6/04;G02B6/24;G02B6/36 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超小芯距 光纤 阵列 | ||
1.一种超小芯距的光纤阵列，包括衬底、光纤、盖片，衬底前端设置有多个槽体组成的限位槽，光纤固定设置于限位槽的槽体中，盖片位于限位槽中的光纤上方，其特征在于：所述光纤采用抗微弯光纤，该抗微弯光纤经包层处理后设置于限位槽的槽体中，包层处理后的光纤包括可实现无泄露通光的纤芯区域，该区域的包层厚度薄且均匀。
2.根据权利要求1所述的一种超小芯距的光纤阵列，其特征在于：所述纤芯区域包层处理后的外径为25-125微米，其插入损耗劣化指标小于0.5dB。
3.根据权利要求1或2所述的一种超小芯距的光纤阵列，其特征在于：所述抗弯光纤的未经包层处理的区域和经包层处理的纤芯区域之间设置有锥形的过渡区域。
4.根据权利要求3所述的一种超小芯距的光纤阵列，其特征在于：所述抗微弯光纤采用包层腐蚀方式进行光纤包层处理。
5.根据权利要求3所述的一种超小芯距的光纤阵列，其特征是：所述抗微弯光纤数量为1根或1根以上，所述抗微弯光纤以一维方向并排设置于限位槽内。
6.根据权利要求5所述的一种超小芯距的光纤阵列，其特征是：所述抗微弯光纤成等间距排列或不等间距排列。
7.根据权利要求3所述的一种超小芯距的光纤阵列，其特征是：所述限位槽的槽体采用V型槽或者矩形槽或者U型槽或者圆形槽。
8.根据权利要求7所述的一种超小芯距的光纤阵列，其特征是：所述抗微弯光纤采用符合标准G.657A1、G.657A2、G.657A3的光纤。
9.根据权利要求3所述的一种超小芯距的光纤阵列，其特征是：所述抗微弯光纤中未经包层处理的光纤区域设置于衬底后端，所述抗微弯光纤上涂有保护性尾胶，或者抗微弯光纤外部设置有金属外壳覆盖保护。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光迅科技股份有限公司，未经武汉光迅科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410744413.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
