[发明专利]温度稳定电路有效
申请号: | 201410745900.9 | 申请日: | 2014-12-09 |
公开(公告)号: | CN104734644B | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | D·卢卡施维奇 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体集团 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H01L23/34;H01L27/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金晓 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 稳定 电路 | ||
1.一种集成电路,包括:
温度稳定电路;
温度传感器,经配置以采集和所述温度稳定电路相关联的温度的指示;
加热器,经配置以基于温度的指示加热所述温度稳定电路;和
与所述温度稳定电路、所述温度传感器和所述加热器不同的其它电路元件;
其中,所述其它电路元件、所述温度稳定电路、所述温度传感器和所述加热器被包含在同一集成电路上;
其中,所述温度传感器、所述加热器和所述温度稳定电路热隔离于所述其它电路元件;
其中,所述加热器经配置以接收温度控制信号并基于所述温度控制信号为所述温度稳定电路设置操作温度,并且被包含在所述集成电路上的不同的温度稳定电路能够基于加热器接收的温度控制信号被加热到不同的操作温度。
2.如权利要求1所述的集成电路,其中,所述温度稳定电路包括带隙基准电路。
3.如权利要求1所述的集成电路,其中,所述温度稳定电路包括放大器的至少一部分。
4.如权利要求1所述的集成电路,进一步包括:绝热侧壁和绝缘层;
其中,所述绝热侧壁经配置以将所述温度传感器、加热器和所述温度稳定电路从其它电路元件热隔离;和
其中,所述绝热侧壁延伸至所述绝缘层。
5.如权利要求1所述的集成电路,进一步包括围绕所述温度稳定电路、所述温度传感器和所述加热器的嵌套绝热侧壁,其中,所述其它电路元件在嵌套绝热侧壁的外侧。
6.一种温度稳定的装置,包括:
半导体材料中的放大器的至少一部分;
温度传感器,经配置以收集所述半导体材料中的温度的指示;
第一加热器,在所述半导体材料中并经配置以基于温度的指示而加热所述放大器的所述至少一部分;和
至少一个绝热侧壁,经配置以将绝热侧壁的一侧上的第一加热器、温度传感器以及所述放大器的所述至少一部分从绝热侧壁的相对侧上的其它电路元件热隔离,其中,所述放大器的所述至少一部分和所述其它电路元件被包含在同一集成电路上;
其中,所述第一加热器经配置以接收温度控制信号并基于所述温度控制信号为所述放大器的所述至少一部分设置操作温度,并且所述放大器的不同部分能够基于第一加热器接收的温度控制信号被加热到不同的操作温度。
7.如权利要求6所述的装置,其中,所述放大器是对数放大器。
8.如权利要求6所述的装置,其中,所述放大器整个被绝热侧壁环绕。
9.如权利要求8所述的装置,进一步包括:所述绝热侧壁内的带隙基准电路。
10.如权利要求6所述的装置,其中,绝热侧壁环绕所述放大器的所述至少一部分,所述绝热侧壁包括所述至少一个绝热侧壁。
11.如权利要求6所述的装置,进一步包括:设置在所述半导体材料下面的绝缘层。
12.如权利要求11所述的装置,其中所述绝热侧壁从所述半导体材料的表面延伸到所述绝缘层。
13.如权利要求6所述的装置,其中,所述放大器至少包括第一级和第二级,其中所述放大器的所述至少一部分包括第一级,并且其中所述第二级在绝热侧壁的所述相对侧。
14.如权利要求13所述的装置,其中,所述第二级在由绝热侧壁从所述半导体材料中分离出来的第二半导体材料中。
15.如权利要求14所述的装置,其中,所述第二级由第二绝热侧壁包围。
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