[发明专利]一种半导体器件及其封装方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件及其封装方法，该封装方法包括：提供导线架，所述导线架包括芯片座、芯片管脚、第一管脚和第二管脚，所述芯片管脚与所述芯片座连接，所述第一管脚和所述第二管脚与所述芯片座断开；在所述芯片座之上焊接芯片，所述芯片的漏极与所述芯片座连接；焊接第一铝箔，所述第一铝箔连接所述芯片的源极和所述第一管脚；焊接导线，所述导线连接所述芯片的栅极和所述第二管脚。本发明所述的半导体器件的封装方法通过焊接连接芯片的源极和第一管脚的第一铝箔，在有限的焊接区域内增加了第一铝箔与半导体器件的接触面积，有效地降低了半导体器件的电流密度，进而能够延长半导体器件的寿命，并提高半导体器件的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其封装方法。

背景技术

随着半导体技术的不断进步，要求半导体器件的尺寸越来越小，但是处理速度和功率要求越来越高。但是，现有半导体器件的小尺寸、高功率引起的高电流密度，即半导体器件的源极和漏极上的电流密度较高，成为阻碍半导体发展的主要问题。较高的电流密度大大减小了半导体器件的寿命，并降低了半导体器件的可靠性。

发明内容

本发明是为了解决现有技术中的上述不足而完成的，本发明的目的在于提出一种半导体器件及其封装方法，该半导体器件的封装方法能够减小封装的半导体器件的电流密度。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

第一方面，本发明公开了一种半导体器件的封装方法，包括：

提供导线架，所述导线架包括芯片座、芯片管脚、第一管脚和第二管脚，所述芯片管脚与所述芯片座连接，所述第一管脚和所述第二管脚与所述芯片座断开；

在所述芯片座之上焊接芯片，所述芯片的漏极与所述芯片座连接；

焊接第一铝箔，所述第一铝箔连接所述芯片的源极和所述第一管脚；

焊接导线，所述导线连接所述芯片的栅极和所述第二管脚。

进一步地，所述焊接第一铝箔之后，所述焊接导线之前还包括：

焊接第二铝箔，所述第二铝箔连接所述芯片的源极和所述第一管脚之上的第一铝箔。

进一步地，所述在所述芯片座之上焊接芯片包括：

在所述芯片座之上制备导电结合材；

采用回流焊技术在所述导电结合材上焊接芯片。

进一步地，所述在所述芯片座之上焊接芯片之后，所述焊接第一铝箔之前还包括：

对焊接芯片之后得到的半导体器件进行清洗。

进一步地，所述提供导线架具体包括：

提供引线框架，所述引线框架包括单排连接的多个导线架，

所述焊接导线之后还包括：

对焊接导线之后得到的半导体器件进行注塑封装和分离。

第二方面，本发明公开了一种半导体器件，包括：

导线架，所述导线架包括芯片座、芯片管脚、第一管脚和第二管脚，所述芯片管脚与所述芯片座连接，所述第一管脚和所述第二管脚与所述芯片座断开；

导电结合材，所述导电结合材位于所述芯片座之上；

芯片，所述芯片位于所述导电结合材之上，所述芯片的漏极与所述芯片座连接；

第一铝箔，所述第一铝箔连接所述芯片的源极和所述第一管脚；

导线，所述导线连接所述芯片的栅极和所述第二管脚。

进一步地，还包括：