[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201410746074.X | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105742226B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;赵超;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供具有正面和背面的TSV模板晶圆，通过光刻和刻蚀，在所述TSV模板晶圆上形成若干分布均匀的TSV孔洞，所述TSV孔洞贯穿所述TSV模板的正面和背面；
在所述TSV孔洞中填充导电材料；
对该TSV模板晶圆进行平坦化处理，使上述导电材料仅位于上述TSV孔洞之内；
沉积绝缘层，所述绝缘层覆盖所述TSV模板晶圆的正面和背面；
在所述TSV模板晶圆的正面和背面分别布置一产品晶圆，所述产品晶圆具有至少一个TSV连接部件；
将所述产品晶圆与所述TSV模板晶圆进行接合，形成产品晶圆-TSV模板晶圆-产品晶圆的三明治结构，产品晶圆的所述TSV连接部件和所述TSV孔洞中的导电材料电连接；
其中，在进行接合之前，去除部分所述绝缘层，以暴露出所述TSV连接部件对应的所述TSV孔洞中的导电材料；
其中，所述产品晶圆的所述TSV连接部件的尺寸大于所述TSV模板晶圆中所述TSV孔洞的尺寸，使得所述TSV连接部件能够对应多个所述TSV孔洞。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述TSV孔洞的直径为40-200nm，各个孔洞的间距为40-200nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在上述TSV孔洞中填充的导电材料为Cu，Al，TiN的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，单个所述TSV连接部件至少对应4个所述TSV孔洞。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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