[发明专利]一种碳化硅陶瓷制品及其无模成型方法在审
申请号: | 201410746533.4 | 申请日: | 2014-12-08 |
公开(公告)号: | CN104496479A | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 刘海林;霍艳丽;王春朋;陈曙光 | 申请(专利权)人: | 中国建筑材料科学研究总院 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/63;C04B35/622;B28B11/08 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100024*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 陶瓷制品 及其 成型 方法 | ||
1.一种碳化硅陶瓷制品的无模成型方法,其特征在于,包括如下步骤:
将制备碳化硅陶瓷制品的原料混合球磨,制得原料料浆;其中,所述制备陶瓷制品的原料包括碳化硅、炭黑、分散剂、有机单体及水,且所述原料料浆中的固相含量为58-68vol%;
将引发体系加入至所述原料料浆中,混合均匀,得到陶瓷料浆;其中,所述引发体系包括引发剂和催化剂,所述引发剂的加入量为所述原料料浆质量的0.01-0.05%,所述催化剂的加入量与所述引发剂加入量之比为0.5-2;
对所述陶瓷料浆依次进行真空除气处理、注模成型、脱模干燥,制得陶瓷素坯;
对所述陶瓷素坯进行数控加工,加工成设定形状的陶瓷预制体;
将所述设定形状的陶瓷预制体在1500-1800℃的温度下进行烧结处理,得到碳化硅陶瓷制品。
2.根据权利要求1所述碳化硅陶瓷制品的制备方法,其特征在于,
所述碳化硅的平均粒径为3-50μm;且所述碳化硅的加入量为所述原料料浆中固相体积的85-98vol%;
所述炭黑的平均粒径为3-20μm;且所述炭黑的加入量为所述原料料浆中固相体积的2-15vol%。
3.根据权利要求2所述的碳化硅陶瓷制品的制备方法,其特征在于,所述分散剂为四甲基氢氧化铵和聚乙烯吡咯烷酮K30的混合物;
所述四甲基氢氧化铵的质量为所述碳化硅质量的0.5-2.0%;
所述聚乙烯吡咯烷酮K30的质量为所述炭黑质量的5.0-15.0%。
4.根据权利要求3所述的碳化硅陶瓷制品的制备方法,其特征在于,所述有机单体为丙烯酰胺和N、N’-亚甲基双丙烯酰胺的混合物;
所述丙烯酰胺与所述水的体积比为20-30:100;
所述N、N’-亚甲基双丙烯酰胺为所述丙烯酰胺和N、N’-亚甲基双丙烯酰胺总质量的10-20%。
5.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷制品的制备方法,其特征在于,所述引发剂为过硫酸铵;所述催化剂为亚硫酸氢钠。
6.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷制品的制备方法,其特征在于,所述引发体系还包括缓聚剂;
所述缓聚剂为邻苯二酚,且所述邻苯二酚的加入量为原料料浆质量的0.02-0.40wt%。
7.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷制品的制备方法,其特征在于,
利用三维造型软件建立设定形状的碳化硅陶瓷制品的实体模型;
采用CAM系统直接识别或调取所述实体模型的几何特征信息,并根据所述几何特征信息编制加工程序,再将所述加工程序转换为数控机床识别的NC程序代码;
数控机床根据NC程序代码对所述陶瓷素坯进行数据加工,将所述陶瓷素坯加工成设定形状的陶瓷预制体。
8.根据权利要求7所述的碳化硅陶瓷制品的制备方法,其特征在于,所述数控机床的X轴进给速率、Y轴进给速率、Z轴进给速率均为0.1-500mm/min;
所述数控机床的Z轴的转速为2000-18000r/m。
9.根据权利要求7所述的碳化硅陶瓷制品的制备方法,其特征在于,将所述加工成设定形状的陶瓷预制体放置在真空烧结炉中,在1500-1800℃下进行烧结处理,得到碳化硅陶瓷制品。
10.一种碳化硅陶瓷制品,其特征在于,所述碳化硅陶瓷制品由权利要求1-8任一项所述的碳化硅陶瓷制品的无模成型方法制备而成。
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