[发明专利]抑制集成无源器件品质因子漂移的方法

权利要求书

1.一种抑制集成无源器件品质因子漂移的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供具有第一导电类型的衬底；

植入一预定元素的离子至衬底中；

热处理衬底，利用所述离子促使衬底之中间隙氧析出氧沉淀，所述离子同步与间隙氧反应生成该元素的硅氧复合体，籍此降低衬底中的间隙氧浓度；

在所述衬底顶面形成绝缘层并制备位于绝缘层之上的集成无源器件；

其中降低间隙氧浓度用于抑制间隙氧受热扩散成氧热施主而诱发的集成无源器件品质因子发生的漂移。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第一导电类型为P型，降低间隙氧浓度用于在制备集成无源器件步骤中，避免衬底载流子浓度下降电阻率上升，和防止衬底的原始施主被氧热施主补偿而致使衬底经由第一导电类型转变成N型的第二导电类型。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第一导电类型为N型，降低间隙氧浓度用于在制备集成无源器件步骤中，避免衬底载流子浓度增加电阻率下降。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在化学性质稳定的气体的气氛环境下热处理衬底，所述化学性质稳定的气体包括氮气和稀有气体。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，热处理所述衬底的步骤中，包括700～900摄氏度条件下进行0～16小时的热处理过程。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，植入离子之后，但在热处理所述衬底之前，以RCA清洗法清洗所述衬底。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定元素包括碳或锗。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述预定元素包括注入剂量在10¹⁴～10¹⁶ions/cm³的碳离子。

9.一种抑制集成无源器件品质因子漂移的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供具有第一导电类型并具有稳定电阻率的衬底；

植入一预定元素的离子至衬底中；

热处理衬底，利用所述离子促使衬底之中间隙氧析出氧沉淀，所述离子同步与间隙氧反应生成该元素的硅氧复合体，籍此降低衬底中的间隙氧浓度；

制备集成无源器件，包括在所述衬底顶面形成绝缘层并至少制备位于绝缘层之上的电感器和电容器；

其中降低间隙氧浓度用于抑制间隙氧在制备集成无源器件步骤中受热扩散成氧热施主而引发的衬底电阻率改变，从而保障衬底的电阻率稳定避免集成无源器件品质因子发生漂移。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在制备集成无源器件步骤中：

当第一导电类型为P型时，降低间隙氧浓度用于避免衬底载流子浓度下降电阻率上升，和防止衬底的原始施主被氧热施主补偿而致使衬底经由第一导电类型转变成N型的第二导电类型；或者

当第一导电类型为N型时，降低间隙氧浓度用于避免衬底载流子浓度增加而电阻率下降。