[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，该基板处理装置在处理室内配置基板，以包围该基板的周围的方式配置聚焦环，对上述基板实施等离子体处理，其特征在于，

该基板处理装置包括：

载置台，其包括基座，该基座具有用于载置上述基板的基板载置面和用于载置上述聚焦环的聚焦环载置面；

基座调温机构，其用于调整上述基座的温度；

基板保持部，其将上述基板的背面静电吸附在上述基板载置面上，并将上述聚焦环的背面静电吸附在上述聚焦环载置面上；

导热气体供给机构，其独立地设有用于向上述基板的背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部、用于向上述聚焦环的背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部、连接于上述第1导热气体供给部的第1气体流路和连接于上述第2导热气体供给部的第2气体流路，

其中，上述第1气体流路连通于设置在上述基板载置面上的多个气孔，在上述聚焦环载置面上沿着上述聚焦环的周向形成有表面粗糙度被加工成能供第2导热气体流通的程度的部位，上述第2气体流路连通于该部位。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述聚焦环载置面的内周侧和外周侧均设有用于密封上述第2导热气体的密封部。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述聚焦环载置面的内周侧和外周侧中的一者不设置密封部或两者均不设置密封部。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述聚焦环载置面的表面和上述基板载置面的表面形成喷镀膜；

通过相对于上述基板载置面的喷镀膜的气孔率改变上述聚焦环载置面的喷镀膜的气孔率来控制上述基板的面内处理特性。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

与基座的控制温度范围相应地来决定上述聚焦环载置面的喷镀膜的气孔率。

6.一种基板处理方法，该基板处理方法为基板处理装置的基板处理方法，该基板处理装置在处理室内配置基板，以包围该基板的周围的方式配置聚焦环，对上述基板实施等离子体处理，其特征在于，

上述基板处理装置包括：

载置台，其包括基座，该基座具有用于载置上述基板的基板载置面和用于载置上述聚焦环的聚焦环载置面；

基座调温机构，其用于调整上述基座的温度；

基板保持部，其将上述基板的背面静电吸附在上述基板载置面上，并将上述聚焦环的背面静电吸附在上述聚焦环载置面上；

导热气体供给机构，其独立地设有用于以目标压力向上述基板的背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部、用于以目标压力向上述聚焦环的背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部、连接于上述第1导热气体供给部的第1气体流路和连接于上述第2导热气体供给部的第2气体流路，其中，上述第1气体流路连通于设置在上述基板载置面上的多个气孔，在上述聚焦环载置面上沿着上述聚焦环的周向形成有表面粗糙度被加工成能供第2导热气体流通的程度的部位，上述第2气体流路连通于该部位，

通过相对于上述第1导热气体的供给压力改变上述第2导热气体的供给压力来控制上述基板的面内处理特性。

7.一种基板处理方法，该基板处理方法为基板处理装置的基板处理方法，该基板处理装置在处理室内配置基板，以包围该基板的周围的方式配置聚焦环，对上述基板实施等离子体处理，其特征在于，

上述基板处理装置包括：

载置台，其包括基座，该基座具有用于载置上述基板的基板载置面和用于载置上述聚焦环的聚焦环载置面；

基座调温机构，其用于调整上述基座的温度；

基板保持部，其将上述基板的背面静电吸附在上述基板载置面上，并将上述聚焦环的背面静电吸附在上述聚焦环载置面上；

导热气体供给机构，其独立地设有用于以目标压力向上述基板的背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部、用于以目标压力向上述聚焦环的背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部、连接于上述第1导热气体供给部的第1气体流路和连接于上述第2导热气体供给部的第2气体流路，其中，上述第1气体流路连通于设置在上述基板载置面上的多个气孔，在上述聚焦环载置面上沿着上述聚焦环的周向形成有表面粗糙度被加工成能供第2导热气体流通的程度的部位，上述第2气体流路连通于该部位，

通过改变上述第1导热气体和上述第2导热气体的气体种类来控制上述基板的面内处理特性。