[发明专利]用于放大器的偏置电流监视器及控制机制

权利要求书

1.一种设备，其包含：

放大器，其包含耦合到电感器的晶体管；

感测电路，其耦合到所述电感器，且用以测量跨越所述电感器的电压降；及

偏置电路，其耦合到所述晶体管，且用以基于跨越所述电感器的、经测量的所述电压降来产生用于所述晶体管的可调偏置电压以获得用于所述晶体管的目标偏置电流。

2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包含：

模/数转换器ADC，其用以数字化所述经测量电压降且提供经数字化电压；及

处理器，其用以接收所述经数字化电压且基于所述经数字化电压来产生用于所述偏置电路的控制。

3.根据权利要求2所述的设备，所述处理器基于所述经数字化电压及所述电感器的电阻器值来确定用于所述晶体管的经测量偏置电流，且基于所述经测量偏置电流及所述目标偏置电流来产生用于所述偏置电路的所述控制。

4.根据权利要求3所述的设备，所述电感器的所述电阻器值是通过施加已知电流经过所述电感器且测量所述电感器上的所述电压降加以确定。

5.根据权利要求3所述的设备，所述电感器的所述电阻器值是基于所述放大器所观测到的集成电路IC条件加以确定。

6.一种电子设备，其包含：

放大器，其包含耦合成堆叠的第一晶体管及第二晶体管；

感测电路，其耦合到所述放大器中的所述第二晶体管，且用以测量所述第二晶体管的栅极到源极电压Vgs；及

偏置电路，其耦合到所述第一晶体管及所述第二晶体管当中的至少一个晶体管，且用以基于所述第二晶体管的经测量的Vgs电压来产生用于所述至少一个晶体管的至少一个偏置电压以获得用于所述第一晶体管及所述第二晶体管的目标偏置电流。

7.根据权利要求6所述的设备，所述第一晶体管为所述堆叠中的下部晶体管且耦合到电路接地，且所述第二晶体管为所述堆叠中的上部晶体管。

8.根据权利要求6所述的设备，其进一步包含：

模/数转换器ADC，其用以数字化所述经测量Vgs电压且提供经数字化电压；及

处理器，其用以接收所述经数字化电压且基于所述经数字化电压来产生用于所述偏置电路的控制。

9.根据权利要求8所述的设备，所述处理器确定对应于所述目标偏置电流的目标Vgs电压，且基于所述经测量Vgs电压及所述目标Vgs电压来产生用于所述偏置电路的所述控制。

10.根据权利要求8所述的设备，其进一步包含：

查找表，其用以存储用于所述第二晶体管的偏置电流与Vgs电压，所述处理器从所述查找表获得用于所述经测量Vgs电压的经测量偏置电流，且基于所述经测量偏置电流及所述目标偏置电流来产生用于所述偏置电路的所述控制。

11.根据权利要求6所述的设备，其进一步包含：

复制品电路，其包含耦合成堆叠且复制所述放大器中的所述第一晶体管及所述第二晶体管的第三晶体管及第四晶体管；及

第二感测电路，其耦合到所述复制品电路中的所述第四晶体管且用以测量所述第四晶体管的Vgs电压，且

所述偏置电路基于所述第二晶体管的所述经测量Vgs电压及所述第四晶体管的所述经测量Vgs电压来产生用于所述放大器中的所述至少一个晶体管的所述至少一个偏置电压。

12.根据权利要求11所述的设备，所述第一晶体管及所述第三晶体管接收第一偏置电压，且所述第二晶体管及所述第四晶体管接收第二偏置电压。