[发明专利]一种无电弧调压的稳压器及其控制方法有效
申请号: | 201410748065.4 | 申请日: | 2014-12-08 |
公开(公告)号: | CN104536499A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 邓宇华 | 申请(专利权)人: | 中山市马迅电器有限公司 |
主分类号: | G05F1/20 | 分类号: | G05F1/20 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 张海文 |
地址: | 528400 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电弧 调压 稳压器 及其 控制 方法 | ||
1. 一种无电弧调压的稳压器,其特征在于包括:
一单片机处理器(10),作为控制处理核心;以及与该单片机处理器(10)电连接的
一电压检测模块(20),用于检测稳压器输入端和/或输出端的电压并将所检测的电压信号反馈至单片机处理器(10)以供单片机处理器(10)的电压采样;
一输出调节继电器组(30),其受单片机处理器(10)的输出信号驱动触点拨动以调节稳压器的输出电压,该输出调节继电器组(30)具有一与稳压器火线输入端连接的输入端、至少一与稳压器火线输出端连接的输出端以及位于其输入端与输出端之间的至少两组继电器;
一调压继电器转换模块(40),该模块包括受单片机处理器(10)的输出信号驱动的市电可控硅(401)、输出可控硅(402)以及转换继电器(403);所述市电可控硅(401)的第一阳极与稳压器火线输入端连接,市电可控硅(401)的第二阳极与转换继电器(403)的上静触点连接,市电可控硅(401)的控制极用于连接单片机处理器(10)的输出信号端;所述输出可控硅(402)的第一阳极与稳压器火线输出端连接,输出可控硅(402)的第二阳极分别与转换继电器(403)的下静触点、输出调节继电器组(30)的输出端连接,输出可控硅(402)的控制极用于连接单片机处理器(10)的输出信号端;所述转换继电器(403)的动触点与稳压器火线输出端连接;
一电源模块(50),其输入端与稳压器的输入端连接,用于为单片机处理器(10)、电压检测模块(20)、输出调节继电器组(30)以及调压继电器转换模块(40)提供工作电压;
一变压器(90),该变压器(90)的输入端接市电,输出端作为稳压器火线输出端。
2.根据权利要求1所述的一种无电弧调压的稳压器,其特征在于:其还包括一电流检测模块(60),用于检测稳压器的电流并将所检测的电流信号反馈至单片机处理器(10)以供单片机处理器(10)的电流采样,该模块由电源模块(50)提供工作电压。
3.根据权利要求1所述的一种无电弧调压的稳压器,其特征在于:所述电压检测模块(20)包括输入电压检测电路(201)和输出电压检测电路(202)。
4.根据权利要求2或3所述的一种无电弧调压的稳压器,其特征在于:其还包括一参考电压提供模块(70),该模块与电源模块(50)连接并提供稳定的参考电压VREF。
5.根据权利要求1所述的一种无电弧调压的稳压器,其特征在于:其还包括一输出总开关(80),该输出总开关(80)包括第一继电器RL1和第三三极管Q3,第一继电器RL1的动、静触点设置在稳压器输入端与所述市电可控硅(401)的第一阳极之间,第一继电器RL1的线圈连接第三三极管Q3的集电极,第三三极管Q3的基极连接单片机处理器(10)的开关信号输出端,第三三极管Q3的发射极接地。
6.根据权利要求1所述的一种无电弧调压的稳压器,其特征在于:所述输出调节继电器组(30)具有三组继电器,分别为第二继电器RL2、第三继电器RL3和第四继电器RL4。
7.一种应用于权利要求1所述稳压器的控制方法,其特征在于:设定稳压器初始状态为转换继电器的动触点与下静触点连接,稳压器由输出调节继电器组的输出电压,该控制方法包括以下步骤
A、检测电压是否超出设定范围,若超出则进入下一步,否则返回主程序;
B、打开输出可控硅;
C、转换继电器的动触点拨向上静触点;
D、打开市电可控硅,并关闭输出可控硅,稳压器直接市电输出;
E、根据A中检测数据计算调压大小并将输出调节继电器组切换到相应的变压器输出抽头;
F、关闭市电可控硅,并打开输出可控硅;
G、转换继电器的动触点拨向下静触点,稳压器再次由输出调节继电器组的输出电压,返回主程序。
8.根据权利要求7所述稳压器的控制方法,其特征在于:所述步骤A中检测所电压为继电器输入与输出电压。
9.根据权利要求7所述稳压器的控制方法,其特征在于:所述步骤B、C、D、F、G中结合有电流过零检测,以供其在过零点打开输出可控硅或市电可控硅以及拨动转换继电器动触点,且所述步骤D、F中在电压波峰点关闭输出可控硅或市电可控硅。
10.根据权利要求7或8或9所述稳压器的控制方法,其特征在于:所述步骤B和F中需延时以确保输出可控硅打开,所述步骤D中需延时以确保市电可控硅打开。
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