[发明专利]一种肖特基二级管的布置方法在审
| 申请号： | 201410748316.9 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104409520A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 唐冬;刘旸;白羽;徐衡;刘剑 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛强 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二级 布置 方法 | ||
1.一种肖特基二级管的布置方法，包括：
a.提供具有衬底和外延层的基体；
b.在所述外延层中形成隔离区，所述隔离区一方面将所述外延层分为彼此间隔的第一部分外延层和第二部分外延层，另一方面与所述衬底接界；
c.在所述第一部分外延层的远离衬底的一侧上横向布置阴极和阳极；在所述第二部分外延层的远离衬底的一侧上横向布置阴极和阳极。
2.根据权利要求1所述的肖特基二级管的布置方法，其中，所述隔离区与所述衬底的材料相同。
3.根据权利要求2所述的肖特基二级管的布置方法，其中，所述隔离区与所述衬底的材料为SiO2。
4.根据权利要求1所述的肖特基二级管的布置方法，其中，所述步骤b包括：
对所述外延层进行光刻腐蚀以形成凹陷区域，直至露出所述衬底，将所述外延层分为第一部分外延层和第二部分外延层，
在所述凹陷区域内化学气相沉积隔离材料形成隔离区。
5.根据权利要求1所述的肖特基二级管的布置方法，其中，所述步骤c包括：
c1.在第一部分外延层和第二部分外延层上分别光刻阳极势垒区，溅射势垒金属并进行退火合金化处理；
c2.在第一部分外延层和第二部分外延层上分别光刻阴极N+区，注入磷离子，快速退火激活所述阴极N+区；
c3.向阴极N+区域蒸发金属层，并进行光刻，实现金属互连。
6.根据权利要求5所述的肖特基二级管的布置方法，其中，在所述步骤c1中，所述阳极势垒区的光刻位置相对于隔离区对称设置；在所述步骤c2中，所述阴极N+区的光刻位置相对于隔离区对称设置。
7.根据权利要求6所述的肖特基二级管的布置方法，其中，所述阳极势垒区布置在所述阴极N+区域和所述隔离区之间。
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