[发明专利]P型硅片Cu污染检测方法在审
| 申请号： | 201410748502.2 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104538325A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 金文明;贺贤汉;宋玮 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 沈履君 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 cu 污染 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.P型硅片Cu污染检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
第一步，利用去离子水润湿硅片的表面至少3分钟；
第二步，在常规环境下晾干12小时以及12小时以上；
第三步，将晾干的硅片进行ICP-MS测定。
2.根据权利要求1所述的P型硅片Cu污染检测方法，其特征在于，所述第一步中，润湿为硅片与电阻率大于18Ω的去离子水接触。
3.根据权利要求2所述的P型硅片Cu污染检测方法，其特征在于，所述接触为冲洗或者浸泡。
4.根据权利要求1所述的P型硅片Cu污染检测方法，其特征在于，所述第二步中，常规环境为100级以及100级以上的无尘室环境，温度21℃～25℃，湿度为30％～70％。
5.根据权利要求1所述的P型硅片Cu污染检测方法，其特征在于，所述P型硅片为掺杂剂为Boron的硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
