[发明专利]一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器及制备方法

权利要求书

1.一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器，其结构为：在半绝缘的InP衬底(1)上依次生长N型InAlAs缓冲层(2)、In_xGa_1-xAs吸收层(3)、P型InAlAs帽层(4)、P电极区(5)、电极互连区(6)、N电极区(7)及复合钝化膜，其特征在于：

所述的N型InAlAs缓冲层(2)的厚度1μm至2μm，载流子浓度大于2×10¹⁸cm^-3；

所述的In_xGa_1-xAs吸收层(3)的厚度为1.5μm至2μm，组分0.53<x≤0.83，载流子浓度5×10¹⁶cm^-3至1×10¹⁷cm^-3；

所述的P型InAlAs帽层(4)的厚度为0.6μm，载流子浓度大于2×10¹⁸cm^-3；

所述的复合钝化膜由Al₂O₃钝化接触层(8)和SiN_x钝化加固层(9)组成；

P电极区(5)上置有电极互连区(6)，该电极互连区覆盖部分微台面，并从微台面上延伸至微台面下；在微台面的一侧有刻蚀至N型InAlAs缓冲层(2)并置于N型InAlAs缓冲层(2)的公共电极区，即N电极区(7)，除P电极区(5)和N电极区(7)外，整个外延片上包括微台面的侧面覆盖有Al₂O₃钝化接触层(8)和SiN_x钝化加固层(9)；台面上没有被极互连层覆盖电的区域为探测器光敏感区(10)。

2.一种制备如权利要求1所述的一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器的方法，其特征在于方法如下：

首先通过外延技术将N型InAlAs缓冲层(2)、In_xGa_1-xAs吸收层(3)、P型InAlAs帽层(4)依次沉积在InP衬底(1)上，然后通过刻蚀在此p-InAlAs/i-InGaAs/n-InAlAs外延片上形成p-InAlAs微台面，在p-InAlAs微台面的局部区域上制备P电极区(5)，然后快速热退火，形成欧姆接触；P电极区(5)上置有电极互连区(6)，该电极互连区覆盖部分微台面，并从微台面上延伸至微台面下；在微台面的一侧有刻蚀至n-InAlAs层的N槽，并在其上制备即N电极区(7)，除P电极区(5)和N电极区(7)外，整个外延片上包括覆盖由Al₂O₃钝化接触层(8)和SiN_x钝化加固层(9)组成的复合钝化膜。