[发明专利]一种CMOS图像传感器像素单元阵列有效
申请号: | 201410748693.2 | 申请日: | 2014-12-09 |
公开(公告)号: | CN104465687B | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 顾学强;周伟;范春晖 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cmos 图像传感器 像素 单元 | ||
1.一种CMOS图像传感器像素单元阵列,由多个所述像素单元按行列排布组成像素阵列,所述像素阵列包括对应每个所述像素单元的光敏元件及其上方的介质层,所述介质层排布有金属信号输出线、控制线和电源线,其特征在于,所述信号输出线在各所述光敏元件的行间上方排布,为对应行像素单元所共用,所述控制线和电源线在各所述光敏元件的列间上方并列排布,为对应列像素单元所共用,并与所述信号输出线同层布置,所述控制线和电源线与所述信号输出线之间在交叉部位相跨接;在所述光敏元件上方的所述介质层围绕各所述光敏元件设有光屏蔽环。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器像素单元阵列,其特征在于,所述控制线和电源线分别通过多晶跳线与所述信号输出线之间在交叉部位相跨接。
3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器像素单元阵列,其特征在于,各所述多晶跳线的二端分别通过第一接触孔与对应的所述控制线或电源线连接。
4.根据权利要求1~3任意一项所述的CMOS图像传感器像素单元阵列,其特征在于,所述信号输出线与所述控制线、电源线之间以同层垂直交错方式排布。
5.根据权利要求1~3任意一项所述的CMOS图像传感器像素单元阵列,其特征在于,所述控制线包括并列排布的传输控制线、复位控制线和行选控制线。
6.根据权利要求1~3任意一项所述的CMOS图像传感器像素单元阵列,其特征在于,所述信号输出线、控制线和电源线采用相同金属制作。
7.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器像素单元阵列,其特征在于,所述光屏蔽环位于由所述信号输出线、控制线和电源线所围成区域的内侧,围绕各所述光敏元件垂直设置,并在高度方向至少将所述信号输出线、控制线和电源线部分遮挡。
8.根据权利要求1或7所述的CMOS图像传感器像素单元阵列,其特征在于,所述光屏蔽环包括上下接触设置的金属屏蔽环和第二接触孔屏蔽环。
9.根据权利要求8所述的CMOS图像传感器像素单元阵列,其特征在于,所述金属屏蔽环与所述信号输出线、控制线和电源线同层等高设置。
10.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器像素单元阵列,其特征在于,所述金属屏蔽环与所述信号输出线、控制线和电源线采用相同金属制作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的