[发明专利]小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法

权利要求书

1.一种小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法，该小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列包含：多条平行的、区分为多组的位元线，该些位元线包含一第一组位元线与一第二组位元线；多条平行的字线，与该些位元线互相垂直，并包含一第一字线；多条平行的共源线，与该些字线互相平行，并包含一第一共源线；及多个子存储阵列，每一该子存储阵列连接两组该位元线、一该字线与一该共源线，每一该子存储阵列包含：一第一存储单元，连接该第一组位元线、该第一共源线与该第一字线；以及一第二存储单元，连接该第二组位元线、该第一共源线与该第一字线，该第一存储单元、第二存储单元互相对称配置，并位于该第一共源线的同一侧；一第三存储单元，连接该第一组位元线、该第一共源线与该第一字线，并以该第一共源线为轴与该第一存储单元对称配置；及一第四存储单元，连接该第二组位元线、该第一共源线与该第一字线，并以该第一共源线为轴与该第二存储单元对称配置，又该第三存储单元、第四存储单元互相对称配置，且与该第一存储单元、第二存储单元位于该第一共源线的相异两侧，其中，该第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元、第四存储单元皆包含位于P型基板或P型井区中的N型场效晶体管，且该第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元、第四存储单元皆作为一操作存储单元，则在选取所有该操作存储单元进行操作时，该操作方法的特征在于：

于所有该操作存储单元连接的该P型基板或该P型井区施加一基底电压V_sub，且于所有该操作存储单元连接的该位元线、该字线、该共源线分别施加一位元电压V_b、一字电压V_w、一共源电压V_s，并满足下列条件：

写入时，满足V_sub接地；

V_s＝V_b＝0；及

V_w为高压；及

擦写时，满足V_sub接地；

V_s、V_b为高压；及

V_w浮接。

2.如权利要求1所述的小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法，其中每一该子存储阵列位于相邻的两组该位元线之间。

3.如权利要求1所述的小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法，其中该第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元、第四存储单元皆连接该第一字线，以共享同一接点。

4.如权利要求1所述的小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法，其中该第一组位元线包含一该位元线，其连接该第一存储单元、第三存储单元，且该第二组位元线亦包含一该位元线，其连接该第二存储单元、第四存储单元。

5.如权利要求1所述的小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法，其中该第一组位元线包含两条该位元线，其分别连接该第一存储单元、第三存储单元，且该第二组位元线亦包含两条该位元线，其分别连接该第二存储单元、第四存储单元。

6.如权利要求4或5所述的小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法，其中相邻两个该子存储阵列中，该两个第三存储单元彼此相邻且连接同一该位元线，以共享同一接点，该两个第四存储单元彼此相邻且连接同一该位元线，以共享同一接点。

7.如权利要求1所述的小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法，其中该第一存储单元中的该N型场效晶体管具有一漏极、一源极及一导电栅极，且该漏极连接该第一组位元线，该源极连接该第一共源线，又该第一字线的偏压经由与该N型场效晶体管的该导电栅极相同的多晶硅形成的一电容耦合至该N型场效晶体管，该N型场效晶体管接收该第一组位元线与该第一共源线的偏压，对该导电栅极进行写入数据或将该导电栅极的数据进行擦写。

8.如权利要求1所述的小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法，其中该第二存储单元中的该N型场效晶体管具有一漏极、一源极及一导电栅极，且该漏极连接该第二组位元线，该源极连接该第一共源线，又该第一字线的偏压经由与该N型场效晶体管的该导电栅极相同的多晶硅形成的一电容耦合至该N型场效晶体管，该N型场效晶体管接收该第二组位元线与该第一共源线的偏压，对该导电栅极进行写入数据或将该导电栅极的数据进行擦写。