[发明专利]一种改变气体流动模式的装置及晶圆处理方法和设备有效
申请号: | 201410749979.2 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN105742203B | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 倪图强;黄智林 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 朱成之 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改变 气体 流动 模式 装置 处理 方法 设备 | ||
1.一种改变处理腔室内气体流动模式的装置,基于通过进气口引入到处理腔室的气体对放置于该处理腔室内的晶圆进行处理,其中进气口位于处理腔室侧壁上方,处理腔室顶部包括一个顶盖,顶盖上方包括射频线圈连接到射频电源,其特征在于:
所述装置是在处理腔室内进行气体流通模式调整的气体中心环;所述气体中心环,包含:
固定部件,其位于进气口的下方及晶圆的上方,外周围固定到处理腔室内壁,中心包括一个第一开口,环绕第一开口的区域内开设有若干缝隙;
移动环,其能分别处在第一位置或第二位置;该移动环在第一位置时,气体通过所述固定部件设置的第一开口和所述缝隙向下输送至晶圆;该移动环在第二位置时,气体通过所述移动环与固定部件组合形成的第二开口向下输送至晶圆;所述移动环在第二位置时遮挡了所述缝隙以阻止气体从缝隙处流通,所述气体通过固定部件上的第一开口向下输送至晶圆。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述移动环在第一位置与第二位置之间调整时,所述处理腔室处于关闭状态,从而在该处理腔室内保持为通过引入气体而形成的压力状态,或保持为通过排走气体而形成的真空状态。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述移动环还能处在第三位置,来遮挡所述固定部件的第一开口的一部分区域,使气体通过第一开口时经由第一开口未被遮挡的区域向下输送至晶圆;
或者,所述移动环还能处在第四位置,来遮挡所述固定部件的缝隙的其中一部分区域,使气体通过固定部件上的第一开口及所述缝隙中未被遮挡的区域向下输送至晶圆。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述固定部件包括位于外侧的外固定环和位于内侧的内固定环,两者之间通过多个连接部连接,内固定环和外固定环之间包括多个缝隙,
所述移动环在第一位置时气体穿过外固定环上的第一开口向下流动;所述移动环在第二位置时,所述移动环封闭与内、外固定环之间的缝隙,气体穿过内固定环内的中心开口向下流动。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述移动环在第一位置时,气体经过所述固定部件的第一开口和缝隙后,在固定部件下方、移动环及晶圆上方的间隔空隙流动,使大部分气体流向晶圆边缘区域;
所述移动环在第二位置时,气体经过所述移动环的固定部件的第一开口后,在固定部件及移动环下方、晶圆上方的间隔空隙流动,使大部分气体流向晶圆中间区域。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述移动环的中心开口的直径等于或大于晶圆的直径,使晶圆嵌套在第一位置的移动环中。
7.如权利要求1或3所述的装置,其特征在于,
所述移动环的外径大于所述固定部件的第一开口的直径,使位于第二位置的移动环与所述固定部件在竖直方向上有部分重叠;
或者,所述移动环的外径小于所述固定部件的第一开口的直径,从而在移动环的外侧与第一开口的内侧留有供气体流通的间隙区。
8.如权利要求1或3所述的装置,其特征在于,
所述固定部件包含第一平板面来设置所述第一开口;所述固定部件还包含与所述处理腔室的侧壁连接的第二平板面,所述第二平板面环绕在第一平板面周边,并通过环绕的侧板面与第一平板面连接;
所述第一平板面与第二平板面处在不同的水平位置,通过调整第一平板面与第二平板面之间的高度差来对应调整所述第一平板面相对于晶圆表面的高度。
9.如权利要求1或3所述的装置,其特征在于,
所述装置进一步包含若干调节杆,其连接所述移动环并驱使移动环在第一位置和第二位置之间调整。
10.如权利要求1或3所述的装置,其特征在于,
所述移动环在上述第一位置与第二位置之间的任意高度停留时,在所述固定部件与移动环之间、所述移动环与晶圆之间,分别形成供气体流通的路径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造