[发明专利]一种背面抛光的单晶硅太阳能电池片制备方法在审
| 申请号： | 201410750452.1 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105529380A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 蒋冬;金重玄 | 申请（专利权）人： | 杭州大和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏;方琦 |
| 地址： | 310053 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 背面 抛光 单晶硅 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种背面抛光的单晶硅太阳能电池片制备方法，包括化学清洗及表面织 构、扩散、周边刻蚀、PSG清洗、沉积减反射膜、丝网印刷电极和烧结步 骤，其特征在于，所述表面织构步骤包括以下四道工序：
A.双面抛光工序，选取单晶硅片，置于高浓度碱溶液中腐蚀去除损伤层， 再用纯水清洗掉硅片表面残留的碱溶液，形成硅片的抛光面；
B.背面掩膜工序，利用PECVD沉积氮化硅薄膜对抛光硅片的背面进行保护；
C.制绒工序，利用低浓度碱溶液对硅片的正面进行制绒，同时硅片背面受 氮化硅膜的保护而不受影响；
D.背面褪膜工序，利用HF的水溶液褪去硅片背面的氮化硅保护薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种背面抛光的单晶硅太阳能电池片制备方法，其 特征在于：所述工序A中的高浓度碱溶液溶质重量百分含量为10％～20 ％，所述工序C中的低浓度碱溶液溶质重量百分含量为0.5％～3％，所述 工序D中的HF水溶液溶质重量百分含量为2％～10％。
3.根据权利要求1或2所述的一种背面抛光的单晶硅太阳能电池片制备方 法，其特征在于：所述碱溶液为氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。
4.根据权利要求1所述的一种背面抛光的单晶硅太阳能电池片制备方法，其 特征在于：所述氮化硅薄膜的膜厚为50～200nm。
5.根据权利要求1所述的一种背面抛光的单晶硅太阳能电池片制备方法，其 特征在于：所述单晶硅片为P型单晶硅片或N型单晶硅片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州大和热磁电子有限公司，未经杭州大和热磁电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410750452.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
