[发明专利]一种硅通孔底部衬垫露出的检测方法

权利要求书

1.一种硅通孔底部衬垫露出的检测方法，其特征在于：包括如下步骤：

（1）提供带有硅通孔结构的晶圆，对硅通孔底部沉积有绝缘层的衬垫进行刻蚀露出衬垫表面，

（2）采用金属溶液对衬垫进行表面染色处理或对衬垫表面直接氧化处理使衬垫进行表面改性；

（3）对表面改性处理后的衬垫采用光学仪器检测衬垫的颜色变化；

（4）表面改性处理后的衬垫在光学仪器检测下，

（4.1）当衬垫为铝金属，绝缘层为二氧化硅材质采用硫酸铜溶液染色处理，处理前的衬垫表面颜色为亮白色，处理后的衬垫表面颜色变红或变暗时判断绝缘层去除完全；

（4.2）当衬垫为铝金属，绝缘层为氮化硅材质采用镀镍溶液对衬垫进行表面染色处理，处理前衬垫的颜色为亮白色，处理后的衬垫表面颜色变暗时判断绝缘层去除完全；

（4.3）当衬垫为铝金属，绝缘层为碳化硅材质采用氧离子等离子体对衬垫表面直接氧化处理，处理前衬垫的颜色为亮白色，处理后的衬垫表面变暗时判断绝缘层去除完全；

（4.4）当衬垫为铜金属，绝缘层为氮化物材质采用碱式碳酸铜的氨溶液对衬垫表面染色处理，处理前衬垫的颜色为亮白色，处理后的衬垫颜色变暗时判断绝缘层去除完全；

（4.5）当衬垫为铜金属，绝缘层为二氧化硅材质采用氧离子的等离子体对衬垫表面直接氧化处理，处理前衬垫的颜色为红色或暗红色，处理后的衬垫表面颜色变暗时判断绝缘层去除完全；

（4.6）当衬垫为铜金属，绝缘层为二氧化硅材质采用硝酸银溶液对衬垫表面染色处理，处理前衬垫的颜色为红色或暗红色，处理后的衬垫颜色变亮白色时判断绝缘层去除完全；

（5）若绝缘层未完全去除重复上述步骤直至去除完全。

2.如权利要求1所述的硅通孔底部衬垫露出的检测方法，其特征在于：所述刻蚀为直接刻蚀或光阻涂布、曝光、显影后的刻蚀。

3.如权利要求1所述的硅通孔底部衬垫露出的检测方法，其特征在于：所述硅通孔为圆形、方形、倒梯形或倒锥形。

4.如权利要求2所述的硅通孔底部衬垫露出的检测方法，其特征在于：所述光阻涂布包括喷胶、旋涂光阻和干膜直接贴附。

5.如权利要求1所述的硅通孔底部衬垫露出的检测方法，其特征在于：所述金属溶液为硫酸铜溶液、镀镍溶液、硝酸银溶液或碱式碳酸铜的氨溶液。

6.如权利要求1所述的硅通孔底部衬垫露出的检测方法，其特征在于：所述对衬垫表面直接氧化处理时采用含有氧离子的等离子体处理5-30min。

7.如权利要求1所述的硅通孔底部衬垫露出的检测方法，其特征在于：所述绝缘层的厚度为1-5μm。