[发明专利]一种电子设备加速可靠性增长试验方法在审

专利信息
申请号: 201410750612.2 申请日: 2014-12-10
公开(公告)号: CN105737881A 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 陈永祥;赵帅帅;吴红;张冰;陈立伟;杨博;孙立明;徐海博;冯伟;崔英伟;闫旭东 申请(专利权)人: 天津航天瑞莱科技有限公司;北京航天斯达科技有限公司;北京强度环境研究所
主分类号: G01D21/00 分类号: G01D21/00;G01R31/00
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 王朋
地址: 天津市塘沽*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 电子设备 加速 可靠性 增长 试验 方法
【权利要求书】:

1.一种电子设备加速可靠性增长试验方法,具体包括如下步骤:

步骤一:确定正常环境应力剖面;

步骤二:确定加速应力剖面;

步骤三:基于故障分类计算加速系数;

步骤四:确定总试验时间;

步骤五:试验结果评估。

2.根据权利要求1所述的电子设备加速可靠性增长试验方法,其特征在于:所述的第一步,根据二级配电器现场使用和任务环境特征确定正常环境应力剖面;振动应力水平为验收条件,随机振动加速度均方根值为8.46g。

3.根据权利要求1所述的电子设备加速可靠性增长试验方法,其特征在于:所述的第二步,对于温度应力,二级配电器的高温加速应力水平取80℃,低温加速应力水平取-40℃;温度循环加速应力水平取15℃/min;湿度加速应力水平取95%RH;振动加速应力的随机振动加速度均方根值取11.95g。

4.根据权利要求1所述的电子设备加速可靠性增长试验方法,其特征在于:所述的第三步,对于温度应力,通过对二级配电器薄弱环节进行恒定应力加速寿命试验得到其激活能Ea=0.7271(eV),高温应力单独作用下的加速系数:

其中:kB是波尔兹曼常数,取值8.617×10eV/℃;T正常是温度正常应力水平,取值60℃;T加速是温度加速应力水平,取值80℃;

对于温度循环应力,根据二级配电器薄弱环节的历史试验数据,取m=2.5,g=0.33,其单独作用下的加速系数:

其中:ΔT正常是温度变化量正常应力水平,取值100℃;ΔT加速是温度变化量加速应力水平,取值120℃;ζ正常是温度变化率正常应力水平,取值5℃/min;ζ加速是温度变化率加速应力水平,取值15℃/min;

对于湿度应力,根据二级配电器薄弱环节的历史试验数据,取s=2.3,其单独作用下的加速系数:

其中:RH正常是湿度正常应力水平,取值80%RH;RH加速是湿度加速应力水平,取值95%RH;

对于振动应力,根据二级配电器薄弱环节的历史试验数据,取t=8,其单独作用下的加速系数:

其中:G正常是振动正常应力水平,取值8.46g;G加速是振动加速应力水平,取值11.95g;

本次加速可靠性增长试验的加速系数为:

Atest=1NS·(ATC×AVib+AHT×ARH)=10.86.]]>

5.根据权利要求1所述的电子设备加速可靠性增长试验方法,其特征在于:所述的第四步,二级配电器采用没有模型的增长试验方案,可靠性增长要求值RL=0.9998,任务时间t=625(s),使用方风险β=70%,正常环境应力剖面下的总试验时间:

T=(-t/lnRL)·ln(1/β)=1045(h)

加速可靠性增长试验的总试验时间:

Ttest=T/Atest=99.3(h)。

6.根据权利要求1所述的电子设备加速可靠性增长试验方法,其特征在于:所述的第五步,对试验结果进行可靠性评估,其试验结果的可靠性下限为:

RL=eMTBFL=e-t/(2Ttest·Atest/χ2,0.72)=0.9998.]]>

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