[发明专利]一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法有效
| 申请号： | 201410750725.2 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104495765B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张亚光;杜宁;张辉;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 多孔 制备 氮化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，其特征在于，步骤如下：
以多孔硅为原料，在氮气气氛下，依次经高温煅烧、研磨处理，得到所述的高α相氮化硅。
2.根据权利要求1所述的多孔硅制备高α相氮化硅的方法，其特征在于，所述多孔硅的粒径为1～20μm，孔隙为30～500nm，比表面积大于100m2/g。
3.根据权利要求2所述的多孔硅制备高α相氮化硅的方法，其特征在于，所述的多孔硅的粒径为1～10μm，比表面积大于100m2/g，多孔硅孔隙为50～200nm。
4.根据权利要求3所述的多孔硅制备高α相氮化硅的方法，其特征在于，所述的多孔硅的粒径为7.5～10μm，比表面积大于100m2/g，多孔硅孔隙为100～200nm。
5.根据权利要求1所述的多孔硅制备高α相氮化硅的方法，其特征在于，所述高温煅烧的温度为1250～1350℃，保温时间为15～30h。
6.根据权利要求1所述的多孔硅制备高α相氮化硅的方法，其特征在于，所述的研磨在行星式球磨机中进行。
7.根据权利要求6所述的多孔硅制备高α相氮化硅的方法，其特征在于，所述行星式球磨机的磨球采用热压烧结的氮化硅陶瓷球，磨球直径为1～10mm，球料比为2～10，球磨介质为无水乙醇，球磨时间为2～10h。
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