[发明专利]一种焊盘结构及其制备方法

权利要求书

1.一种焊盘结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一表面设置有顶部金属层的衬底；

沉积第一保护层以将所述顶部金属层的上表面予以覆盖；

部分刻蚀所述第一保护层至所述顶部金属层表面以形成焊盘开口；

按照从下至上的顺序依次沉积第一阻挡层、第一金属层、第二阻挡层覆盖剩余的所述第一保护层的上表面和所述焊盘开口的底部及其侧壁表面；

继续制备第二金属层覆盖所述第二阻挡层的表面且充满所述焊盘开口，所述第一阻挡层、第一金属层、第二阻挡层和所述第二金属层构成一焊盘；

部分刻蚀所述焊盘以暴露剩余的所述第一保护层的部分表面；

继续沉积第二保护层后，部分刻蚀所述第二保护层以暴露所述第二金属层的上表面。

2.如权利要求1所述的焊盘结构的制备方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度的取值范围为150-200nm。

3.如权利要求1所述的焊盘结构的制备方法，其特征在于，沉积所述第一阻挡层的步骤包括：按照从下至上的顺序依次沉积Ta层、第一TaN层覆盖剩余的所述第一保护层的上表面和所述焊盘开口的底部及其侧壁表面。

4.如权利要求1所述的焊盘结构的制备方法，其特征在于，沉积所述第二阻挡层的步骤包括：按照从下至上的顺序依次沉积第一TiN层、第二TaN层和第二TiN层覆盖所述第一金属层的表面。

5.如权利要求1所述的焊盘结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

沉积第二保护层覆盖剩余的所述第一保护层裸露的上表面以及剩余的所述焊盘裸露的表面；

部分刻蚀所述第二保护层以暴露所述第二金属层的上表面。

6.如权利要求1所述的焊盘结构的制备方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材质均为铝。

7.如权利要求1所述的焊盘结构的制备方法，其特征在于，所述顶部金属层的材质为铜。

8.如权利要求1所述的焊盘结构的制备方法，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层均包括氮化硅层和二氧化硅层。

9.一种焊盘结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上设置有顶部金属层；

第一保护层，所述第一保护层部分覆盖所述顶部金属层的上表面，且一焊盘开口贯穿所述第一保护层至所述顶部金属层的上表面；

焊盘，所述焊盘充满所述焊盘开口并部分覆盖所述第一保护层的上表面；

其中，所述焊盘包括第一阻挡层、第一金属层、第二阻挡层和第二金属层，且所述第一阻挡层覆盖所述第一保护层的部分表面和所述焊盘开口的底部及其侧壁表面，所述第一金属层覆盖所述第一阻挡层的表面，所述第二阻挡层隔离所述第一金属层和所述第二金属层。

10.如权利要求9所述的焊盘结构，其特征在于，所述第一金属层的厚度的取值范围为150-200nm。

11.如权利要求9所述的焊盘结构，其特征在于，所述第一阻挡层的包括Ta层以及覆盖所述Ta层上表面的第一TaN层。

12.如权利要求9所述的焊盘结构，其特征在于，所述第二阻挡层包括第一TiN层、第二TaN层和第二TiN层，所述第一TiN层覆盖所述第一金属层的表面，所述第二TaN层覆盖所述第一TiN层的表面，所述第二TiN层覆盖所述第二TaN层的表面。

13.如权利要求9所述的焊盘结构，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材质均为铝。

14.如权利要求9所述的焊盘结构，其特征在于，所述顶部金属层的材质为铜。

15.如权利要求9所述的焊盘结构，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层均包括氮化硅层和二氧化硅层。

16.如权利要求9所述的焊盘结构，其特征在于，所述焊盘结构还包括第二保护层，所述第二保护层覆盖所述焊盘裸露的侧壁表面以及所述第一保护层裸露的上表面。