[发明专利]IGBT状态检测电路以及IGBT状态检测方法

权利要求书

1.一种IGBT状态检测电路，其特征在于，该电路包括：

IGBT的集电极和发射极之间的并联分压电路(1)，用于获取IGBT的集电极和发射极之间电压的分压电压并输出分压电压信号(V1)至电压比较电路(2)的输入端；

所述电压比较电路(2)，用于根据所述分压电压信号(V1)以及预定电压信号(Vz)判断IGBT状态并输出IGBT状态反馈信号(V2)至状态反馈隔离输出电路(3)的输入端；

状态反馈隔离输出电路(3)，用于响应于所述IGBT状态反馈信号(V2)输出IGBT状态反馈隔离信号。

2.根据权利要求1所述的IGBT状态检测电路，其特征在于，IGBT的集电极和发射极之间的并联分压电路(1)包括串联的第一电阻(R1)和第二电阻(R2)，所述串联的第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的两端分别与IGBT的集电极和发射极连接，第一电阻(R1)与第二电阻(R2)之间的连接点输出分压电压信号(V1)。

3.根据权利要求1所述的IGBT状态检测电路，其特征在于，直流母线电压的正输入端通过第三电阻(R3)与IGBT的集电极(IGBT-C)连接，直流母线电压的负输入端与IGBT的发射极(IGBT-E)连接。

4.根据权利要求1所述的IGBT状态检测电路，其特征在于，所述电压比较电路(2)包括第一单电源、比较器(U2)、第五电阻(R5)、以及第六电阻(R6)；

所述第一单电源的正极与所述比较器(U2)的正输入端连接，所述分压电压信号(V1)输入所述比较器(U2)的负输入端，所述第六电阻(R6)设置在所述比较器(U2)的负输入端与所述比较器(U2)的输出端之间，所述第五电阻(R5)设置在所述第一单电源的正极与所述比较器(U2)的输出端之间，所述比较器(U2)的输出端输出IGBT状态反馈信号(V2)。

5.根据权利要求4所述的IGBT状态检测电路，其特征在于，所述电压比较电路(2)还包括第四电阻(R4)和稳压管(Z1)，所述第四电阻(R4)设置在所述第一单电源的正极与所述比较器(U2)的正输入端之间，所述稳压管(Z1)设置在所述比较器(U2)的正输入端与IGBT的发射极(IGBT-E)之间。

6.根据权利要求4所述的IGBT状态检测电路，其特征在于，所述第一单电源的负极与IGBT的发射极(IGBT-E)连接。

7.根据权利要求4、5或6所述的IGBT状态检测电路，其特征在于，所述比较器(U2)由第一单电源供电。

8.根据权利要求1所述的IGBT状态检测电路，其特征在于，所述状态反馈隔离输出电路(3)包括：第一单电源、第二单电源、光耦芯片(U3)、三极管(Q1)、第八电阻(R8)、以及第九电阻(R9)；IGBT状态反馈信号(V2)输入三极管(Q1)的基极，三极管(Q1)的发射极与第一单电源的正极连接，三极管(Q1)的集电极与所述光耦芯片(U3)的第一输入端连接，所述光耦芯片(U3)的第二输入端经所述第八电阻(R8)与IGBT的发射极(IGBT-E)连接；所述光耦芯片(U3)由所述第二单电源供电，所述第九电阻(R9)设置在所述光耦芯片(U3)的输出端与所述第二单电源的正极之间，所述光耦芯片(U3)的输出端输出IGBT状态反馈隔离信号。

9.根据权利要求8所述的IGBT状态检测电路，其特征在于，所述状态反馈隔离输出电路(3)还包括第七电阻(R7)，IGBT状态反馈信号(V2)经过所述第七电阻(R7)输入三极管(Q1)的基极。

10.根据权利要求8或9所述的IGBT状态检测电路，其特征在于，所述光耦芯片(U3)为ACPL_M43T型光耦芯片。

11.一种用于权利要求1-10中任一项权利要求所述的IGBT状态检测电路的IGBT状态检测方法，该方法包括：根据接收自主控制器的IGBT开通/断开控制信号以及IGBT状态反馈隔离信号判断IGBT状态。