[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201410753576.5 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105731361A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 郑超;李卫刚;刘炼;王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面上形成有MEMS器件；
步骤S2：反转所述步骤S1中得到的元件，并在所述反转之前或者之后研磨所述MEMS晶圆，以减小所述MEMS晶圆的厚度；
步骤S3：图案化所述MEMS晶圆的背面，以形成第一开口，露出所述MEMS器件；
步骤S4：在所述MEMS晶圆的背面上结合第二晶圆，其中所述第二晶圆中形成有第二开口，所述第二开口位于所述第一开口的上方，并且所述第二开口的尺寸大于所述第一开口的尺寸，以形成MEMS背孔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，研磨所述MEMS晶圆至180-220um。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述第一开口的尺寸为70-90um。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述第二开口的尺寸为150-170um。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，通过键合的方法在所述MEMS晶圆的背面上结合所述第二晶圆。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括步骤S5：反转所述步骤S4中得到元件。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述MEMS晶圆选用硅；
所述第二晶圆选用硅。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，在所述MEMS晶圆的背面上结合所述第二晶圆，以形成倒凸形的所述MEMS背孔。
9.一种根据权利要求1至8之一所述方法制备得到的MEMS器件。
10.一种电子装置，包括权利要求9所述的MEMS器件。
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