[发明专利]一种具有高绒度的FZO透明导电薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种具有高绒度的FZO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1）制备氟掺氧化锌薄膜：将洁净的衬底放入磁控溅射设备生长室内，以Zn_1-xF_xO陶瓷靶为靶材，0<x≦0.3，抽真空至真空度至少为5×10^-6Torr，加热衬底至25～500℃，向生长室中通入Ar，并调节生长气压至1~20mTorr，溅射功率为50～200W，生长15~60min，获得FZO薄膜；

2）湿化学刻蚀：将步骤1）的FZO薄膜浸入体积浓度为0.01 ~ 1.0 %的腐蚀性溶液中保持1~60s，取出后清洗并干燥；

3）等离子刻蚀：将经步骤2）处理的FZO薄膜放入磁控溅射设备生长室中，抽真空至真空度至少为5×10^-6Torr，加热衬底至20～200℃，向生长室内按流量比为100:5-30通入Ar和H₂，调节工作气压至10~50Pa，溅射功率为20-100W，进行等离子刻蚀10-30min，获得具有高绒度的FZO薄膜。

2.根据权利要求1的具有高绒度的FZO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于所述的衬底为玻璃、石英玻璃、硅片、PC、PET、PI或PMMA。

3.根据权利要求1的具有高绒度的FZO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于步骤2）中所述的腐蚀剂溶液为HCl溶液、HF溶液、NaOH溶液、HNO₃溶液或NH₄Cl溶液。