[发明专利]基于有源埋入的微波射频基板结构及其制备方法

权利要求书

1.一种基于有源埋入的微波射频基板结构，其特征是：包括下芯板（1）以及位于所述下芯板（1）上的微波射频芯片（2），所述下芯板（1）上层压有用于包覆微波射频芯片（2）的介质层（14），在介质层（14）内设有空气腔（4），所述空气腔（4）位于所述微波射频芯片（2）射频区域的正上方；在下芯板（1）的下方设有焊球（12），所述焊球（12）与所述微波射频芯片（2）电连接。

2.根据权利要求1所述的基于有源埋入的微波射频基板结构，其特征是：所述微波射频芯片（2）上设有第二导电柱（9），所述第二导电柱（9）位于所述空气腔（4）的外侧；在微波射频芯片（2）的外侧设有与焊球（12）电连接的第一导电柱（8），微波射频芯片（2）通过第一导电柱（8）以及第二导电柱（9）与焊球（12）电连接。

3.根据权利要求2所述的基于有源埋入的微波射频基板结构，其特征是：所述介质层（14）上设有上芯板（6），所述上芯板（6）上设有上基板线路（10）；下芯板（1）的下表面上设有下基板线路（7）；第二导电柱（9）的下端与微波射频芯片（2）电连接，第二导电柱（9）的上端穿过介质层（14）以及上芯板（6）后与上基板线路（10）电连接；第一导电柱（8）的下端穿过下芯板（1）后与下基板线路（7）电连接，第一导电柱（8）的上端穿过介质层（14）以及上芯板（6）后与上基板线路（10）电连接。

4.根据权利要求3所述的基于有源埋入的微波射频基板结构，其特征是：所述上基板线路（10）上覆盖有上阻焊层（11）；下基板线路（7）上覆盖有下阻焊层（13），相邻的焊球（12）间通过下阻焊层（13）相隔离。

5.根据权利要求1所述的基于有源埋入的微波射频基板结构，其特征是：所述空气腔（4）的上方设有贯通介质层（14）并与所述空气腔（4）相连通的释放通孔（5）。

6.一种基于有源埋入的微波射频基板结构的制备方法，其特征是，所述微波射频基板结构的制备方法包括如下步骤：

（a）、提供下芯板（1），并在所述下芯板（1）上设置所需的微波射频芯片（2）；

（b）、在上述的微波射频芯片（2）上设置释放材料层（15）；

（c）、在上述下芯板（1）上层压有介质层（14），以通过所述介质层（14）将释放材料层（15）以及微波射频芯片（2）压紧在下芯板（1）上，释放材料层（15）以及微波射频芯片（2）均位于介质层（14）内；

（d）、在上述微波射频芯片（2）的上方设置导电柱盲孔（17），并在所述微波射频芯片（2）的外侧设置导电柱通孔（16）；所述导电柱盲孔（17）位于释放材料层（15）的外侧，且导电柱盲孔（17）贯通介质层（14）；导电柱通孔（16）贯通介质层（14）以及下芯板（1）；

（e）、在上述导电柱通孔（16）内填充得到第二导电柱（9），所述第二导电柱（9）的下端与微波射频芯片（2）电连接，第二导电柱（9）的上端与介质层（14）上方的上导电层（19）电连接；在导电柱通孔（16）内填充得到第一导电柱（8），所述第一导电柱（8）的上端与上导电层（10）电连接，第一导电柱（8）的下端与覆盖下芯板（1）下表面的下导电层（18）电连接；

（f）、在上述上导电层（19）上制作所需的上基板线路（10），在下导电层（18）上制作所需的下基板线路（7），以使得微波射频芯片（2）通过第二导电柱（9）、上基板线路（10）以及第一导电柱（8）与下芯板（1）下表面上的下基板线路（7）电连接；

（g）、在上述上基板线路（10）上设置所需的上阻焊层（11），在下基板线路（7）上设置所需的下阻焊层（13），并在所述下阻焊层（13）上设置所需的焊球接触口，以通过焊球接触口暴露所需的下基板线路（7）；

（h）、在上述的释放材料层（15）上设置释放盲孔（20），所述释放盲孔（20）从上阻焊层（11）向下延伸至释放材料层（15）内；

（i）、利用上述释放盲孔（20）将介质层（14）内的释放材料层（15）进行释放，以在介质层（14）内得到空气腔（4），并在所述空气腔（4）上方得到能与外部相连通的释放通孔（5）；

（j）、在上述下芯板（1）的下方设置所需的焊球（12），所述焊球（12）通过焊球接触口与下基板线路（7）电连接，且相邻的焊球（12）间通过下阻焊层（13）相隔离。