[发明专利]双唑类铂金属发光错合物有效
申请号: | 201410758471.9 | 申请日: | 2014-12-11 |
公开(公告)号: | CN104761588A | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | 季昀;叶秀炫 | 申请(专利权)人: | 季昀 |
主分类号: | C07F15/00 | 分类号: | C07F15/00;C07D231/12;C09K11/06;H01L51/54 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;史瞳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双唑类 铂金 发光 错合物 | ||
技术领域
本发明涉及一种适用于有机发光二极管的铂金属错合物,特别是涉及一种由一中性且含氮杂环的双牙配基与一负二价双牙配基所形成的双唑类铂金属发光错合物。
背景技术
有机电致发光装置一般包含有机发光二极管(organic light-emitting diode,简称OLED)及驱动元件,其中,有机发光二极管是以有机层作为发光层。形成有机层的材料大都采用磷光材料,因磷光材料可以同时通过单重激发态和三重激发态(triplet excited state)进行放光,而能有效的提高有机发光二极管的发光效率。
中国台湾专利公告案I291488揭示一种做为磷光发光体的铂金属错合物,如式(A)所示:
其中,X1、X2独立地表示碳或氮;当X2是碳且Rb是氢,Ra是氢、C1至C8的烷基或C1至C4的全氟烷基;当X2是碳,Ra和Rb一起构成伸烷基,或含有一架桥基C4至C12的伸烷基;当X2是氮且Rb为单键,Ra是氢、C1至C8的烷基或C1至C4的全氟烷基;当X1是碳,Rg是氢或甲基,Rh是氢或甲基,或Rg和Rh一起构成;当X1是氮且Rh为单键,Rg是氢或甲基。然,所述中国台湾专利公告案虽为中性铂金属错合物,最高填满分子轨域(highest occupied molecular orbital,简称HOMO)能阶及最低未填满分子轨域(lowest unoccupied molecular orbital,简称LUMO)能阶是落于同一配基上,因此,所述铂金属错合物无法通过所述配基单独调整HOMO或LUMO能阶,继而较无法有弹性的配合电子与电洞结合所释放的激发能量。
由上述可知,若能开发出一种可独自调整HOMO能阶或LUMO能阶的配基,使HOMO能阶与LUMO能阶的差值符合经激发后能放射出可见光区域的磷光,且同时具有不错发光性能的铂金属错合物,对OLED产业的发展是很有帮助的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种双唑类铂金属发光错合物,所述双唑类铂金属发光错合物的HOMO能阶及LUMO能阶可以弹性配合电子与电洞结合所释放的激发能量,使所述双唑类铂金属发光错合物放射出磷光,得以应用在有机发光二极体中。
本发明双唑类铂金属发光错合物,是由式(I)所示:
R1及R2各自独立地表示氟烷基;X表示C-H或氮;L1表示中性且含氮杂环的双牙配基。
本发明双唑类铂金属发光错合物,L1是选自于
本发明双唑类铂金属发光错合物,X表示C-H。
本发明双唑类铂金属发光错合物,R1及R2各自独立地表示三氟甲基或全氟丙基。
本发明双唑类铂金属发光错合物,L1表示
本发明双唑类铂金属发光错合物,X表示氮。
本发明双唑类铂金属发光错合物,R1及R2各自独立地表示三氟甲基或全氟丙基。
本发明双唑类铂金属发光错合物,L1表示
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