[发明专利]反熔丝现场可编程门阵列编程状况的预估方法

权利要求书

1.一种反熔丝现场可编程门阵列编程状况的预估方法，包括：

1)将用于承载反熔丝现场可编程门阵列的晶元划分为多个区域；在所述多个区域内分别植入多个测试用反熔丝器件；

2)对所述测试用反熔丝器件的上电极和下电极施加测试电压，将所述测试用反熔丝器件的中间介质层击穿，为每个测试用反熔丝器件编程；

3)获取各个不同区域内的编程后的测试用反熔丝器件的中间介质层的评估用电阻值，与预设的参照电阻值比较，确定所述不同区域所对应的现场可编程门阵列功能正常率；

4)根据实际进行反熔丝现场可编程门阵列编程欲选取的区域预估编程状况。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤3)中，对每个区域内的所有测试用反熔丝器件的中间介质层的电阻值求平均值来计算所述评估用电阻值，所述参照电阻值为采用单个反熔丝电阻编程后的常规电阻值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤3)中，

当某一区域的所述评估用电阻值与参照电阻值偏差率小于或者等于[0，20％]时，确定该区域的反熔丝现场可编程门阵列的功能正常率为100％。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

当某一区域的所述评估用电阻值与参照电阻值偏差率在区间(20％，40％]内时，确定该区域的反熔丝现场可编程门阵列的功能正常率为90％。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

当某一区域的所述评估用电阻值与参照电阻值偏差率在区间(40％，100％]内时，确定该区域的反熔丝现场可编程门阵列的功能正常率为70％。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

当某一区域的所述评估用电阻值与参照电阻值偏差率在区间大于100％时，确定该区域的反熔丝现场可编程门阵列的功能正常率小于50％。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，在所述步骤1)中，所述晶元被均匀地分成多个区域。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤1)中，当所述晶元的尺寸为4英寸，所述晶元被均匀地分成5个区域。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤1)中，当所述晶元的尺寸为8英寸，所述晶元被均匀地分成11个区域。