[发明专利]一种OAP-MIP多结合位点亲和膜金霉素传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201410759072.4 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN105092671A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张娟琨;高杨;王伟;刘英姿;陶强 | 申请（专利权）人： | 天津科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/48 |
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| 地址： | 300457 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 oap mip 结合 亲和 金霉素 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种OAP-MIP多结合位点亲和膜金霉素传感器及其制备方法，其特征在于，它由玻碳电极及其表面固定着的对金霉素有特异性结合功能的分子印迹膜组成。
2.权利要求1所述传感器，其特征在于，其表面的特异性亲和膜有OAP的氨基与CTC的酚羟基、烯醇基发生的分子间氢键作用，也有OAP的羟基与CTC的二甲氨基之间的作用，在电化学条件下OAP与CTC之间形成较多的结合位点，使得所制备的分子印迹聚合物对金霉素具有极高的选择性和结合能力。
3.OAP-MIP多结合位点亲和膜电极的制备方法
将0.1gOAP溶于0.1M高氯酸中，并加入0.4M氢氧化钠将pH值调节为弱酸性(pH5.5)，定容至250mL浓度为3.67mM，从中移取9mL已配好3.67mMOAP的NaClO4溶液，再向其中加入1mL1mM的金霉素(CTC)混合溶解。因聚合反应初期，氧气进攻自由基阳离子，则需通N2除O2约15min，将处理好的三电极系统浸入含3.67mMOAP、0.1mMCTC与0.1MNaClO4溶液(pH5.5)中，在-0.2～1.2V的电位区间内循环伏安扫描30圈，扫描速度为50mV/s，所制备的聚合膜经化学修饰作用沉积固定于玻碳电极表面。随着扫描圈数的增加，电极表面逐渐覆盖一层致密的非导电聚合膜，阻止了OAP的进一步氧化，使得伏安电流响应受到抑制，由此便制得非导电性的印迹膜电极(CTC-MIP-OAP/GCE)。
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