[发明专利]一种AlGaInP基多层结构的深槽刻蚀方法

权利要求书

1.一种AlGaInP基多层结构的深槽刻蚀方法，所述AlGaInP基多层结构包括依次设置的GaP层、含Al层和GaAs层，其特征在于，包括：

第一步，对所述GaP层进行刻蚀，刻蚀形成的沟槽的侧壁垂直；

第二步，对所述含Al层进行刻蚀；

第三步，对所述GaAs层进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的AlGaInP基多层结构的深槽刻蚀方法，其特征在于，

在第一步中，刻蚀气体为Cl₂，或者，由Cl₂和Ar组成的气体。

3.根据权利要求2所述的AlGaInP基多层结构的深槽刻蚀方法，其特征在于，

在第一步中，刻蚀气体压力为2.5-8mT，上电极射频功率为300-1200W，下电极射频功率为100-500W，刻蚀气体为流量为70-180sccm的Cl₂，或者，由流量为60-150sccm的Cl₂和流量为10-30sccm的Ar组成的气体，刻蚀温度为-20-60℃。

4.根据权利要求1所述的AlGaInP基多层结构的深槽刻蚀方法，其特征在于，

在第二步中，刻蚀气体为Cl₂，或者，由Cl₂与BCl₃和Ar中的至少一种组成的气体。

5.根据权利要求4所述的AlGaInP基多层结构的深槽刻蚀方法，其特征在于，

在第二步中，刻蚀气体压力为2.5-8mT，上电极射频功率为300-1200W，下电极射频功率为100-500W，刻蚀气体为流量为70-150sccm的Cl₂，或者，由流量为20-150sccm的Cl₂与流量为50-80sccm的BCl₃组成的气体，刻蚀温度为-20-60℃。

6.根据权利要求1所述的AlGaInP基多层结构的深槽刻蚀方法，其特征在于，

在第三步中，刻蚀气体为Cl₂，或者，由Cl₂和Ar组成的气体。

7.根据权利要求6所述的AlGaInP基多层结构的深槽刻蚀方法，其特征在于，

在第三步中，刻蚀气体压力为2.5-8mT，上电极射频功率为300-1000W，下电极射频功率为100-500W，刻蚀气体为流量为70-150sccm的Cl₂，或者，由流量为60-150sccm的Cl₂和流量为10-30sccm的Ar组成的气体，刻蚀温度为-20-60℃。

8.根据权利要求1所述的AlGaInP基多层结构的深槽刻蚀方法，其特征在于，

在第一步中，刻蚀气体压力为3mT，上电极射频功率为600W，下电极射频功率为250W，刻蚀气体为由流量为100sccm的Cl₂和流量为20sccm的Ar组成的气体，刻蚀温度为35℃，刻蚀持续时间为6min；

在第二步中，刻蚀气体压力为3mT，上电极射频功率为600W，下电极射频功率为250W，刻蚀气体为由流量为40sccm的Cl₂与流量为80sccm的BCl₃组成的气体，刻蚀温度为35℃，刻蚀持续时间为11min；

在第三步中，刻蚀气体压力为3mT，上电极射频功率为600W，下电极射频功率为200W，刻蚀气体为流量为120sccm的Cl₂，刻蚀温度为35℃，刻蚀持续时间为16min。

9.根据权利要求1所述的AlGaInP基多层结构的深槽刻蚀方法，其特征在于，

在第一步中，刻蚀气体压力为3mT，上电极射频功率为750W，下电极射频功率为250W，刻蚀气体为流量为120sccm的Cl₂，刻蚀温度为35℃，刻蚀持续时间为5.5min；

在第二步中，刻蚀气体压力为3mT，上电极射频功率为750W，下电极射频功率为250W，刻蚀气体为由流量为40sccm的Cl₂与流量为80sccm的BCl₃组成的气体，刻蚀温度为35℃，刻蚀持续时间为10min；

在第三步中，刻蚀气体压力为3mT，上电极射频功率为700W，下电极射频功率为250W，刻蚀气体为流量为120sccm的Cl₂，刻蚀温度为35℃，刻蚀持续时间为14min。