[发明专利]一种高压IGBT串联换流均压电路在审

专利信息
申请号: 201410759910.8 申请日: 2014-12-12
公开(公告)号: CN104377942A 公开(公告)日: 2015-02-25
发明(设计)人: 陈功;陈敏;刘小松;刘国频;李图强;颜彪;刘启根 申请(专利权)人: 中国电建集团中南勘测设计研究院有限公司
主分类号: H02M1/06 分类号: H02M1/06;H02M1/34
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 卢宏
地址: 410014 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 高压 igbt 串联 换流 压电
【权利要求书】:

1.一种高压IGBT串联换流均压电路,包括至少两个串联的主IGBT,其特征在于,每个主IGBT与一个缓冲均压单元连接;所述缓冲均压单元包括并联在所述主IGBT集电极和发射极之间的电阻均压支路;所述电阻均压支路中点与电压跟随器/电压比较器输入端连接;所述电压跟随器/电压比较器输出端、电阻均压支路一端分别与电压互感器原边绕组第一输入端、第二输入端连接;所述电压互感器次边绕组两端分别与辅助IGBT的栅极、发射极连接;所述辅助IGBT的发射极与电压互感器原边绕组第二输入端连接;所有缓冲均压单元的辅助IGBT集电极均与辅助缓冲支路连接;所述辅助缓冲支路与所述电阻均压支路另一端连接。

2.根据权利要求1所述的高压IGBT串联换流均压电路,其特征在于,所述主IGBT、缓冲均压单元数量均为两个。

3.根据权利要求2所述的高压IGBT串联换流均压电路,其特征在于,所述辅助缓冲支路包括缓冲电容;两个缓冲均压单元的两个辅助IGBT集电极均与缓冲电容一端连接,所述缓冲电容另一端并联接入两个二极管阴极之间,所述两个二极管阳极分别通过两个电阻均压支路一端与两个主IGBT的集电极连接;所述缓冲电容与放电电阻并联;所述缓冲电容容值大于5                                                。

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