[发明专利]一种TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物及蚀刻方法有效
申请号: | 201410759948.5 | 申请日: | 2014-12-12 |
公开(公告)号: | CN104480469B | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 戈士勇 | 申请(专利权)人: | 江阴润玛电子材料股份有限公司 |
主分类号: | C23F1/18 | 分类号: | C23F1/18;C23F1/26 |
代理公司: | 江阴义海知识产权代理事务所(普通合伙)32247 | 代理人: | 杜兴 |
地址: | 214400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 tft 层叠 蚀刻 组合 方法 | ||
1.一种TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物,其特征在于,所述组合物的组分及重量百分比分别为:过氧化氢10~20%、H2SO40.3~3%、过硫化物、氯化物、过氧化氢稳定剂0.01~0.1%、金属络合剂0.01~0.1%、表面活性剂0.01~0.1%、0.005~0.5%唑类添加剂及余量水,所述过硫化物为过硫酸钾、过硫酸铵、过硫酸钠和过硫酸氢钾中的一种,所述过硫化物和氯化物的重量百分比之和为0.03~0.3%,所述金属络合剂为氨基羧酸盐类金属络合剂或选自氨三乙酸、肌氨酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸和甘氨酸中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物,其特征在于,所述氯化物为氯化钾或氯化铵。
3.根据权利要求1所述的TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物,其特征在于,所述过氧化氢稳定剂为磷酸盐、甘醇类化合物或胺类化合物。
4.根据权利要求3所述的TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物,其特征在于,所述金属络合剂为选自氨三乙酸盐、乙二胺四乙酸盐中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物,其特征在于,所述表面活性剂为非离子表面活性剂。
6.根据权利要求5所述的TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物,其特征在于,所述表面活性剂为脂肪酸甘油酯、脂肪酸山梨坦和聚山梨酯中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物,其特征在于,所述唑类为选自1H-苯并三唑、3-氨基-1H-三唑、1H-四唑、5-甲基-1H-四唑、5-苯基-1H-四唑的至少一种。
8.一种TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物的蚀刻方法,其特征在于,采用权利要求1至7中任意一项所述的TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物对薄膜晶体管铜钼金属层叠薄膜进行蚀刻,所述TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物的蚀刻温度为20~50℃。
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