[发明专利]一种触控式OLED双面显示装置有效
申请号: | 201410760049.7 | 申请日: | 2014-12-12 |
公开(公告)号: | CN104538419B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 林昶 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 马廷昭 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 触控式 oled 双面 显示装置 | ||
技术领域
本发明有关一种OLED(Organic Light Emitting Display,有机发光显示器件)显示装置,特别是指一种能降低出光率损失的触控式OLED双面显示装置。
背景技术
OLED是主动发光器件,相比现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器(TFT –LCD,Thin Film Transistor- Liquid Crystal Display) ,OLED具有对比度高、视角广、功耗低、体积更薄等优点,有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术,柔性OLED更是以其可弯曲、抗冲击、更轻更薄等优点在平板显示技术中受到越来越多的关注。
OLED显示装置是通过施加电压于像素电极,驱动电子、空穴注入有机发光层,两者相遇、结合形成激子并将能量传递给化学分子,从而电致发光。OLED显示装置的结构中,阳极金属不透明,阻止光线透过并发生光线反射,有机发光层发出的光线只能透过透明阴极电极从上方盖板射出,实现顶发射。在OLED显示装置的结构中,电极、绝缘填充层、盖板等具有不同的折射率,光线发射时会发生全反射现象,造成出光率损失。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种能降低出光率损失的触控式OLED双面显示装置。
为达到上述目的,本发明提供一种触控式OLED双面显示装置,其包括能透光的第一触控面板与能透光的第二触控面板及设于该第一触控面板与第二触控面板之间的第一增透层与第二增透层,该第一增透层与第二增透层之间设有OLED器件,该OLED器件与该第二增透层之间设有透明基板,所述OLED器件包括依次设置的第一透明电极层、有机发光层及第二透明电极层,该第一透明电极层设于该有机发光层与所述透明基板之间。
所述透明基板与所述第一触控面板之间填充有绝缘填充层,该绝缘填充层两端设有密封胶,该密封胶将所述第一触控面板密封封装。
所述第一增透层设于所述OLED器件的一侧,且所述第一增透层位于所述OLED器件与所述绝缘填充层之间。
所述第一增透层设于所述第一触控面板的一侧,且所述第一增透层位于所述第一触控面板与所述绝缘填充层之间。
所述有机发光层包括依次设置的电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层以及空穴注入层。
所述第一触控面板由上盖板、下盖板及设于上盖板与下盖板之间的触控电极组成,该下盖板靠近所述第一增透层;所述第二触控面板由盖板与触控电极组成,所述第二触控面板的触控电极靠近所述第二增透层。
所述第一增透层的折射率大于所述绝缘填充层的折射率。
所述第一透明电极层与第二透明电极层的材料为氧化铟锡。
所述第一增透层与第二增透层的材料为氮氧化硅。
所述透明基板为玻璃基板。
本发明的OLED显示装置由于使用了上下两层触控面板,可实现OLED双面显示效果;同时引入增透膜,提高了透光率。
附图说明
图1为本发明触控式OLED双面显示装置的实施例一的结构示意图;
图2为本发明触控式OLED双面显示装置的实施例二的结构示意图。
具体实施方式
为便于对本方的结构及达到的效果有进一步的了解,现结合附图并举较佳实施例详细说明如下。
如图1所示,本发明的触控式OLED双面显示装置包括能透光的第一触控面板6与第二触控面板7及设于第一触控面板6与第二触控面板7之间的OLED器件2,该OLED器件2一侧设有透明基板1,该OLED器件2另一侧设有第一增透层31,透明基板1与第二触控面板7之间设有第二增透层32,该第一增透层31与第一触控面板6之间及第一触控面板6与透明基板1之间填充有绝缘填充层4,该绝缘填充层4两端设有密封胶5,通过密封胶5与第一触控面板6进行密封封装。
本发明中的OLED器件2包括依次设置的第一透明电极层21、有机发光层22及第二透明电极层23,该第一透明电极层21设于有机发光层22与透明基板1之间,该第二透明电极层23设于有机发光层22与第一增透层31之间,其中该有机发光层22包括依次设置的电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层以及空穴注入层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的