[发明专利]一种晶体管的制备工艺

权利要求书

1.一种晶体管的制备工艺，其特征在于，包括步骤A：于一基板上沉积缓冲层，并在所述缓冲层上沉积非晶硅层；步骤B：于所述非晶硅层上沉积覆盖层；所述步骤A之后还包括步骤M：用激光照射基板无膜一侧，使非晶硅熔融形成多晶硅。

2.根据权利要求1所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述覆盖层为绝缘层。

3.根据权利要求2所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述绝缘层的材料为Si₃N₄和/或SiO₂，所述绝缘层的厚度为50nm~200nm。

4.根据权利要求1所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述步骤A之后还包括如下步骤：

步骤C：对所述非晶硅层和覆盖层进行光刻以形成硅岛；

步骤D：于所述硅岛上沉积栅金属层，并刻出金属栅极；

步骤E：再于所述步骤C的结构上继续沉积第一层间介电层，并于所述金属栅极两侧的硅导上形成接触孔；

步骤F：非晶硅的重掺杂，利用自对准工艺，形成源/漏极接触区重掺杂；

步骤G：制作源/漏极、第二层间介电层、氧化铟锡阳极和像素限定层；

所述步骤M置于所述步骤A至B或步骤B至C或步骤C至D或步骤D至E或步骤E至F的两个步骤之间。

5.根据权利要求4所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述步骤F中非晶硅的重掺杂浓度为1E13cm^-2~1E16cm^-2。

6.根据权利要求4所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述步骤D中栅金属层的厚度为10nm~500nm；所述步骤E中第一层间介电层的厚度为10nm~500nm。

7.根据权利要求1所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述步骤M中激光的波长范围为320nm~550nm。

8.根据权利要求1所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述步骤A中所述基板能使波长为20nm~550nm的激光材料透过。

9.根据权利要求1所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述步骤A中基板为石英基板、亚克力基板或聚酰亚胺基板。

10.根据权利要求1所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述步骤A中非晶硅层中含有第三主族或第五主族元素，所述第三主族或第五主族元素的掺杂浓度为1E10cm^-2~1E12cm^-2，所述非晶硅层的厚度为10nm~500nm。