[发明专利]碳纳米管阵列的制备方法和碳纳米管膜的制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管拼接阵列的制备方法，包括以下步骤：

S1，提供一代替基底及多个碳纳米管阵列，该多个碳纳米管阵列分别设置在多个生长基底的表面，该碳纳米管阵列靠近该生长基底的表面为第一表面，远离该生长基底的表面为第二表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得碳纳米管膜从该碳纳米管阵列中连续地拉出；

S2，将该多个碳纳米管阵列的第二表面设置在该代替基底的同一表面，并使该代替基底与该多个碳纳米管阵列的第二表面之间具有液态介质；

S3，使位于该代替基底与该多个碳纳米管阵列的第二表面之间的液态介质固化变为固态介质；

S4，通过移动该代替基底与该多个生长基底中的至少一方，使该代替基底与该多个生长基底相远离，从而使该多个碳纳米管阵列与该多个生长基底分离，并转移至该代替基底；

S5，通过升温使该代替基底与该多个碳纳米管阵列的第二表面之间再次形成一液态介质；以及

S6，将该多个碳纳米管阵列在该代替基底表面滑动，使该多个碳纳米管阵列的侧面相互接触，通过范德华力结合，形成一拼接阵列，该拼接阵列的形态能够使得碳纳米管膜从该拼接阵列的中连续地拉出。

2.如权利要求1所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，该碳纳米管膜包括多个首尾相连的碳纳米管。

3.如权利要求1所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，该步骤S2包括：

在该碳纳米管阵列的第二表面形成一层液态介质；以及

将该代替基底的表面接触该具有液态介质的第二表面。

4.如权利要求3所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，该步骤S3包括以具有凝固点以下温度的代替基底接触该具有液态介质的第二表面。

5.如权利要求1所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，该步骤S2包括：

在该代替基底的表面形成一层液态介质；以及

将该代替基底具有液态介质的表面接触该碳纳米管阵列的第二表面。

6.如权利要求1所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，该液态介质为液滴或液膜，该液滴的直径以及液膜的厚度分别为10纳米～300微米。

7.如权利要求1所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，该步骤S3包括将该代替基底、液态介质、碳纳米管阵列及生长基底的层叠结构放入低温箱中降温至凝固点以下。

8.如权利要求1所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，该液态介质为水，该固态介质为冰。

9.如权利要求1所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，在该步骤S6后，进一步包括步骤S7，去除位于该代替基底与该拼接阵列之间的所述液态介质。

10.如权利要求1所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，该代替基底为冰基底，在步骤S3中，所述使位于该代替基底与该多个碳纳米管阵列的第二表面之间的液态介质固化变为固态介质是通过冰基底冷却该液态介质，使该液态介质凝固形成。

11.如权利要求1所述的碳纳米管拼接阵列的制备方法，其特征在于，该液态介质为将聚乙烯醇溶于溶剂中形成，该聚乙烯醇在该液态介质中的质量百分含量为0.1％～2％。