[发明专利]一种石墨烯高阻隔复合薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410764210.8 申请日: 2015-08-03
公开(公告)号: CN104494249A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 姜浩;朱鹏;黄德萍;李占成;高翾;张永娜;史浩飞;杜春雷 申请(专利权)人: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆墨希科技有限公司
主分类号: B32B27/06 分类号: B32B27/06;B32B27/28;B32B9/04;C23C16/01
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立
地址: 400714 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 石墨 阻隔 复合 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种石墨烯高阻隔复合薄膜,其特征在于,包括至少一层复合薄膜,每层复合薄膜包括聚对二甲苯薄膜和石墨烯薄膜,所述聚对二甲苯薄膜和所述石墨烯薄膜交替层状组合,且最底层和最顶层均为聚对二甲苯薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯高阻隔复合薄膜,其特征在于,所述聚对二甲苯薄膜为对二甲苯或聚3-氯对二甲苯或聚2,5-二氯对二甲苯或聚氟代对二甲苯。

3.根据权利要求1或2所述的一种石墨烯高阻隔复合薄膜,其特征在于,多个所述复合薄膜通过粘合剂粘合成多层复合薄膜。

4.根据权利要求3所述的一种石墨烯高阻隔复合薄膜,其特征在于,所述粘合剂为加热固化的环氧及聚氨酯粘合剂、自由基及阳离子型光固化粘合剂、湿气固化的氰基丙烯酸酯粘合剂、乙烯-醋酸乙烯酯热熔型粘合剂中的一种或几种混合。

5.一种石墨烯高阻隔复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一,在附着在金属基底上的石墨烯的表面沉积聚对二甲苯薄膜;

步骤二,分离金属基底得到石墨烯薄膜和聚对二甲苯薄膜相贴合的双层结构薄膜;

步骤三,在双层结构薄膜上的石墨烯薄膜另一个表面上再次沉积聚对二甲苯薄膜得到依次为聚对二甲苯薄膜、石墨烯薄膜和聚对二甲苯薄膜的层状结构的复合薄膜;

步骤四,将两个或两个以上复合薄膜通过粘合剂3固定得到多层复合薄膜。

6.根据权利要求5所述的一种石墨烯高阻隔复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤一种所述的聚对二甲苯薄膜为聚对二甲苯或聚3-氯对二甲苯或聚2,5-二氯对二甲苯或聚氟代对二甲苯。

7.根据权利要求5或6所述的一种石墨烯高阻隔复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤一所述的金属基底为铜或镍或铂。

8.根据权利要求5或6所述的一种石墨烯高阻隔复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤二分离金属基底的方法为溶液蚀刻金属法或电解水鼓泡法。

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