[发明专利]基于单粒子效应的仿真方法和仿真装置

权利要求书

1.一种基于单粒子效应的仿真方法，其特征在于，所述基于单粒子效应的仿真方法包括：

向半导体器件发射粒子，并确定所述粒子在所述半导体器件的入射角度；

所述粒子入射所述半导体器件之后，采集与所述粒子在所述半导体器件中能量沉积相关的能量沉积数据；

基于所述能量沉积数据和所述入射角度，建立入射角度-能量沉积的关系曲线，基于所述入射角度-能量沉积的关系曲线分析单粒子效应。

2.如权利要求1所述的基于单粒子效应的仿真方法，其特征在于，所述基于单粒子效应的仿真方法还包括：

基于所述能量沉积数据建立能量沉积离散曲线，基于所述能量沉积离散曲线分析单粒子效应。

3.如权利要求1所述的基于单粒子效应的仿真方法，其特征在于，所述基于单粒子效应的仿真方法还包括：

所述粒子入射所述半导体器件之后，确定所述粒子在所述半导体器件中的径向径迹和径向电荷密度；

确定所述径向径迹的径迹半径；

基于所述径向电荷密度和所述径迹半径，建立径迹半径-径向电荷密度的关系曲线，基于所述径迹半径-径向电荷密度的关系曲线分析单粒子效应。

4.如权利要求1所述的基于单粒子效应的仿真方法，其特征在于，所述基于单粒子效应的仿真方法还包括：

所述粒子入射所述半导体器件之后，确定所述粒子在所述半导体器件中的输运时间；

基于所述输运时间和所述能量沉积数据，建立输运时间-能量沉积数据的关系曲线，基于所述输运时间-能量沉积数据的关系曲线分析单粒子效应。

5.如权利要求1至4任一项所述的基于单粒子效应的仿真方法，其特征在于，所述基于单粒子效应的仿真方法还包括：

所述粒子入射所述半导体器件之后，确定所述粒子在所述半导体器件中引起的瞬态脉冲和电荷收集的饱和值；

基于所述瞬态脉冲和所述电荷收集的饱和值，建立电荷收集特性-瞬态脉冲值的关系曲线，基于所述电荷收集特性-瞬态脉冲值的关系曲线分析单粒子效应。

6.一种基于单粒子效应的仿真装置，其特征在于，所述基于单粒子效应的仿真装置包括入射单元、采集单元和曲线建立单元；

所述入射单元用于：向半导体器件发射粒子，确定所述粒子在所述半导体器件的入射角度；

所述采集单元用于：所述粒子入射所述半导体器件之后，采集与所述粒子在所述半导体器件中能量沉积相关的能量沉积数据；

所述曲线建立单元用于：基于所述能量沉积数据和所述入射角度，建立入射角度-能量沉积的关系曲线，基于所述入射角度-能量沉积的关系曲线分析单粒子效应。

7.如权利要求6所述的基于单粒子效应的仿真装置，其特征在于，所述曲线建立单元还用于：

基于所述能量沉积数据建立能量沉积离散曲线，基于所述能量沉积离散曲线分析单粒子效应。

8.如权利要求6所述的基于单粒子效应的仿真装置，其特征在于，

所述基于单粒子效应的仿真装置还包括确定单元，所述确定单元用于：所述粒子入射所述半导体器件之后，确定所述粒子在所述半导体器件中的径向径迹和径向电荷密度，确定所述径向径迹的径迹半径；

所述曲线建立单元还用于：基于所述径向电荷密度和所述径迹半径，建立径迹半径-径向电荷密度的关系曲线，基于所述径迹半径-径向电荷密度的关系曲线分析单粒子效应。

9.如权利要求6所述的基于单粒子效应的仿真装置，其特征在于，

所述基于单粒子效应的仿真装置还包括确定单元，所述确定单元用于：所述粒子入射所述半导体器件之后，确定所述粒子在所述半导体器件中的输运时间；

所述曲线建立单元还用于：基于所述输运时间和所述能量沉积数据，建立输运时间-能量沉积数据的关系曲线，基于所述输运时间-能量沉积数据的关系曲线分析单粒子效应。

10.如权利要求9所述的基于单粒子效应的仿真装置，其特征在于，

所述确定单元还用于：所述粒子入射所述半导体器件之后，确定所述粒子在所述半导体器件中引起的瞬态脉冲和电荷收集的饱和值；

所述曲线建立单元还用于：基于所述瞬态脉冲和所述电荷收集的饱和值，建立电荷收集特性-瞬态脉冲值的关系曲线，基于所述电荷收集特性-瞬态脉冲值的关系曲线分析单粒子效应。