[发明专利]一种晶体管激光器及其制作方法

权利要求书

1.一种晶体管激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、选择一衬底；

步骤2、在衬底上表面依次生长缓冲层、下集电极层、集电极层、基极层及电流阻挡层；

步骤3、选择性腐蚀掉一部分电流阻挡层；

步骤4、依次生长有源层、发射极层及接触层；

步骤5、在被腐蚀掉一部分电流阻挡层区域之上腐蚀制作发射极脊波导至电流阻挡层；

步骤6、分别制作发射极电极、基极电极和集电极电极。

2.根据权利要求1所述的一种晶体管激光器的制作方法，其特征在于，所述电流阻挡层为不掺杂或以N型-P型-N型或P型-N型-P型的顺序调制掺杂材料。

3.根据权利要求2所述的一种晶体管激光器的制作方法，其特征在于，所述电流阻挡层材料具有比基极层及有源层材料宽的带隙，在不掺杂时，对电流具有一定的阻挡作用；在调制掺杂时，PN结的反向截止作用形成对电流的阻挡作用。

4.根据权利要求1所述的一种晶体管激光器的制作方法，其特征在于，所述晶体管激光器是NPN型或PNP型。

5.根据权利要求1所述的一种晶体管激光器的制作方法，其特征在于，所述衬底是InP衬底，或是GaAs衬底，或是GaN衬底，或是SiC衬底，或是Si衬底。

6.根据权利要求1所述的一种晶体管激光器的制作方法，其特征在于，所述电流阻挡层材料为腐蚀制作发射脊波导时的腐蚀停止层。

7.根据权利要求1所述的一种晶体管激光器的制作方法，其特征在于，所述发射极电极制作接触层上，所述基极电极在发射极脊波导两侧被腐蚀掉电流阻挡层后露出的基极层上，所述集电极电极制作在衬底层下表面或集电极层。

8.一种晶体管激光器，其包括：

衬底；

依次生长在衬底上表面的缓冲层、下集电极层、集电极层、基极层、电流阻挡层、有源层、发射极层和接触层；其中，所述电流阻挡层有部分区域被腐蚀形成有至少一个窗口；

发射极脊波导，其通过腐蚀有源层、发射极层和接触层而制作在所述电流阻挡层被腐蚀掉的区域之上；

发射极电极；

基极电极；

集电极电极。

9.根据权利要求8所述的激光器，其特征在于，所述有源层包括下分别限制层、多量子阱层及上分别限制层。