[发明专利]具有复合区的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括

漂移区，其位于半导体主体中；

电荷载流子转移区，其与所述半导体主体中的所述漂移区形成pn结；

复合区；以及

控制结构，其被配置为在去饱和周期期间将所述复合区电连接至所述漂移区，并且在所述去饱和周期之外使所述复合区与所述漂移区断开连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述复合区被布置为在所述去饱和周期以外浮动。

3.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述复合区的表面复合速度是在所述半导体主体中的电荷载流子的饱和速度的至少0.5％。

4.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述复合区的表面复合速度是至少5x 10⁴cm/s。

5.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述控制结构包括与所述电荷载流子转移区相同导电类型的分离区，以及

其中所述分离区将所述复合区与所述漂移区分开。

6.如权利要求5所述的半导体器件，

其中所述控制结构进一步包括控制电极和控制介电层，所述控制介电层将所述控制电极与所述分离区分开；以及

所述去饱和周期是通过被施加至所述控制电极的控制电压的变化而可控的。

7.如权利要求6所述的半导体器件，

其中所述控制电极和所述控制介电层被布置在沟槽结构中，所述沟槽结构在所述电荷载流子转移区和所述分离区之间延伸，并从第一表面至少向下延伸至所述漂移区。

8.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述半导体器件是受控二极管；以及

其中所述电荷载流子转移区被电连接至负载电极。

9.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述控制结构包括多个控制结构，所述多个控制结构被布置在规律布置的去饱和单元中。

10.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述控制结构包括多个控制结构，所述多个控制结构被布置在去饱和单元中；以及

其中在包括所述电荷载流子转移区的有源区的中心区域中，所述去饱和单元的种群密度比在所述有源区的外部区域中的低，所述外部区域朝向没有电荷载流子转移区的边沿区域。

11.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述半导体器件包括场效应晶体管单元，所述场效应晶体管单元包括被电连接至负载电极的源区；以及

其中所述电荷载流子转移区是将所述漂移区和所述源区分开的体区。

12.如权利要求11所述的半导体器件，

其中所述半导体器件是绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管包括多个所述场效应晶体管单元。

13.如权利要求11所述的半导体器件，

其中所述控制结构包括多个控制结构，所述多个控制结构被布置在被规律布置的去饱和单元中，所述去饱和单元被规律地与所述场效应晶体管单元一起散置。

14.如权利要求11所述的半导体器件，

其中所述控制结构包括多个控制结构，所述多个控制结构被布置在去饱和单元中；以及

其中在包括所述电荷载流子转移区的有源区的中心区域中，所述去饱和单元的种群密度比在所述有源区的外部区域中的低，所述外部区域朝向没有电荷载流子转移区的边沿区域，并且在所述有源区的所述中心区域中所述晶体管单元的种群密度比在所述外部区域中的高。