[发明专利]带线损补偿的DC-DC转换器有效

专利信息
申请号: 201410765990.8 申请日: 2014-12-11
公开(公告)号: CN104393759A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: 朱波;曾红霞;范建林;史训南;徐义强 申请(专利权)人: 无锡新硅微电子有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156
代理公司: 无锡华源专利事务所(普通合伙) 32228 代理人: 林弘毅;聂汉钦
地址: 214028 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 带线损 补偿 dc 转换器
【权利要求书】:

1.一种带线损补偿的DC-DC转换器,其特征在于,包括控制电路和滤波电路、反馈电路、线损补偿电路;输入电压经过所述控制电路和滤波电路后产生芯片端输出电压,所述芯片端输出电压经过线损电阻后产生负载端输出电压,所述负载端输出电压为负载端供电;同时所述芯片端输出电压经过反馈电路的反馈电阻和线损补偿电路的补偿电阻反馈给控制电路;所述线损补偿电路通过检测控制电路中的误差放大器输出端的电压得到负载电流,并从所述补偿电阻的反馈端口抽取一个同所述负载电流成比例的补偿电流,补偿给控制电路,对负载端输出电压的线损压降进行补偿。

2.根据权利要求1所述带线损补偿的DC-DC转换器,其特征在于,所述线损补偿电路包括运算放大器,运算放大器的同向输入端连接误差放大器的输出端电压,运算放大器的反向输入端与第一NMOS管的源极相连,运算放大器的输出端与第一NMOS管的栅极相连;

第一PMOS管和第二PMOS管的栅极相连,第二NMOS管和第三NMOS管的栅极相连,第四NMOS管和第五NMOS管的栅极相连;第一PMOS管的栅极和漏极相连,第二NMOS管的栅极和漏极相连,第四NMOS管的栅极和漏极相连;第一NMOS管、第一PMOS管的漏极相连,第三NMOS管、第四NMOS管、第二PMOS管的漏极相连;

第一PMOS管、第二PMOS管的源极接电源电压;第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管的源极接地;第一NMOS管的源极连接第二电阻后接地;

第一NMOS管的漏极连接直流电流IDC2;第二NMOS管的漏极连接直流电流Islop2;第五NMOS管的漏极连接第三电阻后连接所述补偿电阻的反馈端口。

3.根据权利要求2所述带线损补偿的DC-DC转换器,其特征在于,所述直流电流Islop2与所述控制电路产生的斜坡补偿电流Islop相等;所述直流电流IDC2与所述控制电路产生的固定直流电流IDC之比为:IDC:IDC2=n:1;所述第二电阻与所述控制电路中连接在斜坡补偿电流Islop输出端的下拉的第一电阻的电阻类型相同,且第一电阻和第二电阻的阻值之比为:R1:R2=1:n;所述第二NMOS管和第三NMOS管的宽长比之比为:(W/L)2:(W/L)3=n:1;所述第四NMOS管和第五NMOS管的宽长比之比为:(W/L)4:(W/L)5=1:m。

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