[发明专利]航天用金属推进剂贮箱及其制造方法有效
申请号: | 201410766436.1 | 申请日: | 2014-12-11 |
公开(公告)号: | CN104648696B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 乔艳伟;邱卫东;赵和明;冯雪;韩洪武;潘攀 | 申请(专利权)人: | 上海空间推进研究所 |
主分类号: | B64G1/40 | 分类号: | B64G1/40;F02K9/60;B23P15/00 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 201112 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 航天 金属 推进 剂贮箱 及其 制造 方法 | ||
1.一种航天用金属推进剂贮箱,其特征在于,包括壳体(1)和金属膜片(2),所述壳体(1)包括气路接嘴(3)、上半球(4)、连接环(5)、下半球(6)和液路接嘴(7),所述气路接嘴(3)和上半球(4)连接,所述下半球(6)和液路接嘴(7)连接,所述上半球(4)和下半球(6)通过连接环(5)连接;所述金属膜片(2)与连接环(5)连接;所述壳体(1)整体采用铝镁钪合金材质,所述金属膜片(2)采用纯铝材质。
2.根据权利要求1所述的航天用金属推进剂贮箱,其特征在于,所述金属膜片(2)与所述连接环(5)异种金属之间采用氩弧焊焊接连接。
3.根据权利要求1所述的航天用金属推进剂贮箱,其特征在于,所述壳体(1)的厚度T1为1.5~1.9mm,壳体(1)的内径D1为550~630mm;所述上半球(4)、连接环(5)和下半球(6)依次焊接连接,所述气路接嘴(3)和上半球(4)之间以及液路接嘴(7)和下半球(6)之间均采用焊接连接,各个焊接连接的对接处壁厚T2为2~3.8mm。
4.根据权利要求1所述的航天用金属推进剂贮箱,其特征在于,所述气路接嘴(3)设有两个相互垂直的螺纹接口,其中,竖直方向的螺纹接口为测试用接口,水平方向的螺纹接口为气腔增压口,两个螺纹接口的内径D2均为16~20mm。
5.根据权利要求1所述的航天用金属推进剂贮箱,其特征在于,所述金属膜片(2)的厚度变化范围为1.0~2.8mm,厚度公差要求为±0.05mm,所述金属膜片(2)内径D3为530~600mm。
6.根据权利要求1所述的航天用金属推进剂贮箱,其特征在于,所述连接环(5)的安装支耳数量为12个,其中每一个安装支耳上均设有安装孔,所述安装孔的孔径D4为6.3~6.7mm。
7.一种权利要求1至6中任一项所述的航天用金属推进剂贮箱的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:采用铝镁钪合金分别加工上半球(4)、下半球(6)、连接环(5)、气路接嘴(3)和液路接嘴(7);采用纯铝加工金属膜片(2);
步骤2:将金属膜片(2)与连接环(5)异种金属焊接连接;
步骤3:将气路接嘴(3)、上半球(4)、液路接嘴(7)、下半球(6)和连接环(5)进行装配、合拢焊接。
8.根据权利要求7所述的航天用金属推进剂贮箱的制造方法,其特征在于,所述步骤1中,上半球和下半球分别采用牌号为5B70的铝镁钪合金板材旋压成形,铝镁钪合金板材的供货状态为14mm厚的H112状态,旋压成形后通过180℃、2h的低温热处理消除残余应力;连接环采用牌号为5B70的铝镁钪合金模锻锻环H112状态机加成形;气路接嘴和液路接嘴分别采用牌号为5B70的铝镁钪合金模锻件H112状态机加成形;
金属膜片采用纯铝板材拉伸成形,拉伸后通过数控机床对金属膜片的内型面进行加工,然后以金属膜片的内型面为基准,对金属膜片的外型面进行机加工,加工的同时对金属膜片的厚度进行监测。
9.根据权利要求7所述的航天用金属推进剂贮箱的制造方法,其特征在于,所述步骤2中,金属膜片与连接环之间的异种金属焊接采用牌号为5B71的φ1.6mm焊丝焊接,焊接电流为30~65A,通入纯度大于等于99.99%的氩气保护气,送气速度为7~10L/min。
10.根据权利要求7所述的航天用金属推进剂贮箱的制造方法,其特征在于,所述步骤3中,合拢焊接过程中控制铝镁钪合金原材料中的氢含量小于等于0.25ml/100g,采用牌号为5B71的φ1.6mm焊丝焊接,焊接电流为100~150A,通入纯度大于等于99.99%的氩气保护气,送气速度7~10L/min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海空间推进研究所,未经上海空间推进研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410766436.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。