[发明专利]一种制备二硫化钼薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备二硫化钼薄膜的方法，其特征在于：在真空环境中，以钼金属颗粒和硫粉末为原料，通过双源蒸发法在目标基底上制备MoS₂薄膜，调整钼、硫源的蒸发速率使Mo原子和S原子的含量之比为1:2，使得Mo原子和S原子在加热的衬底上反应生成MoS₂分子，获得层数可控的二硫化钼薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备二硫化钼薄膜的方法，其特征在于：通过调节钼金属蒸发的电子束流大小、硫粉末蒸发的温度以及生长时间使Mo原子和S原子的含量之比为1:2，Mo原子和S原子在加热的衬底上反应生成MoS₂分子，获得层数可控的二硫化钼薄膜。

3.根据权利要求1所述的制备二硫化钼薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：

1)先在电子束蒸发和阻蒸多源蒸发镀膜机腔体内样品位置安装清洗好的基底，再在电子束蒸发坩埚和阻蒸坩埚中分别放入钼金属颗粒和硫粉末；

2)将腔体本底真空抽至1×10^-3Pa以下，目标基底温度为300～600℃；

3)调节钼金属蒸发的电子束流大小、硫粉末蒸发的温度以及生长时间，获得均匀的、层数可控的二硫化钼薄膜；

4)生长结束后，自然冷却到室温，即可制得二硫化钼薄膜。

4.根据权利要求3所述的制备二硫化钼薄膜的方法，其特征在于：所述基底选自SiO₂/Si片、单晶氧化铝片、石英片、云母片、单晶硅片。

5.根据权利要求3所述的制备二硫化钼薄膜的方法，其特征在于：钼金属蒸发的电子束流大小为30～100mA。

6.根据权利要求3所述的制备二硫化钼薄膜的方法，其特征在于：硫粉末蒸发温度为100～200℃。

7.根据权利要求3所述的制备二硫化钼薄膜的方法，其特征在于：生长时间为1～20min。