[发明专利]发光装置在审
申请号: | 201410768230.2 | 申请日: | 2014-12-12 |
公开(公告)号: | CN105742523A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 邱创弘;简昭珩;李仁继 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司;大同大学 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;丛芳 |
地址: | 中国台湾桃园*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光装置。
背景技术
公知以有机发光二极管(OrganicLight-emittingDiode;OLED)作为光源的发光装置,可借由在有机发光二极管的表面贴附一层增亮膜,来增加发光装置的亮度。
然而,公知增亮膜的折射率与有机发光二极管的折射率差异大,因此当有机发光二极管点亮时,光线容易在有机发光二极管内产生全反射。此外,在增亮膜接触空气的表面也会有部分光线产生全反射。这些在有机发光二极管及增亮膜内全反射的光线并无法出光,导致发光装置的照度与光辉度难以提升。
另外,公知的增亮膜表面虽可利用透镜结构将光线反射与折射,但这些额外的透镜结构不仅会增加制作成本,且会导致增亮膜朝向有机发光二极管的表面不平整。如此一来,增亮膜与有机发光二极管的间易产生间隙,造成发光装置的出光效率难以提升。
发明内容
本发明的一个目的为提供一种发光装置,从而克服现有技术的上述缺陷。
根据本发明一个实施方式,一种发光装置包含发光本体与增亮膜。发光本体具有出光面。增亮膜位于发光本体的出光面上。增亮膜包含基材、多个第一光学微颗粒与多个第二光学微颗粒。基材具有粗糙面,且粗糙面背对于发光本体。第一光学微颗粒均匀散布于基材中,且第一光学微颗粒的折射率介于约2.1至2.4。第二光学微颗粒均匀散布于基材中,且第二光学微颗粒的折射率介于约1.7至1.9。
在本发明一个实施方式中,上述第一光学微颗粒的材质包含镧系氧化物。
在本发明一个实施方式中,上述第一光学微颗粒的材质包含2B族金属的硫化物。
在本发明一个实施方式中,上述第二光学微颗粒的材质包含镧系氧化物。
在本发明一个实施方式中,上述第二光学微颗粒的材质包含2A族金属的氧化物。
在本发明一个实施方式中,上述基材的粗糙面具有至少一个凸部与至少一个凹部,且凸部与凹部之间的垂直距离介于约5微米至10微米。
在本发明一个实施方式中,上述基材的厚度介于约150微米至250微米或介于约350微米至450微米。
在本发明一个实施方式中,上述第一光学微颗粒与第二光学微颗粒占增亮膜的重量百分比约1%至3%。
在本发明一个实施方式中,上述发光装置还包含光学胶。光学胶位于增亮膜与发光本体的出光面之间。光学胶的折射率、发光本体的折射率与基材的折射率介于1.2至1.8。
在本发明一个实施方式中,上述基材的材质包含聚二甲基硅氧烷(PDMS)。
在本发明上述实施方式中,由于基材具有粗糙面,且第一光学微颗粒与第二光学微颗粒均匀散布于基材中,因此当发光本体点亮时,光线不仅可从粗糙面直接折射出光,还可经第一光学微颗粒与第二光学微颗粒反射与折射后,接着才从粗糙面出光。基材中的第一光学微颗粒、第二光学微颗粒与基材的粗糙面可有效减少光线于发光装置内发生全反射的现象,可提升发光装置的出光效率、照度与光辉度。
附图说明
图1为根据本发明一个实施方式的发光装置的立体图。
图2为图1的发光装置沿线段2-2的剖面图。
图3为图2的发光装置中另一光线走向的示意图。
图4为图2的发光装置中又一光线走向的示意图。
图5为根据本发明另一个实施方式的发光装置的立体图。
具体实施方式
图1为根据本发明一个实施方式的发光装置100的立体图。图2为图1的发光装置100沿线段2-2的剖面图。同时参阅图1与图2,发光装置100包含发光本体110与增亮膜120。发光本体110具有出光面112。增亮膜120位于发光本体110的出光面112上。增亮膜120包含基材122、多个第一光学微颗粒124与多个第二光学微颗粒126。基材122具有粗糙面121,且基材122的粗糙面121背对于发光本体110。第一光学微颗粒124均匀散布于基材122中,且第一光学微颗粒124的折射率介于约2.1至2.4。在本文中,“约”可指5%的误差范围。第二光学微颗粒126均匀散布于基材122中,且第二光学微颗粒126的折射率介于约1.7至1.9。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择