[发明专利]OLED显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201410768553.1 | 申请日: | 2014-12-12 |
公开(公告)号: | CN104518004A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 张合静;苏智昱 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示装置及其制造方法。
背景技术
有机电致发光显示(Organic Light Emitting Display,OLED)是一种极具发展前景的显示技术,它不仅具有十分优异的显示性能,还具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性,被誉为“梦幻显示器”,得到了各大显示器厂家的青睐,已成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。
OLED显示装置通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的有机发光层,设于有机发光层上的电子传输层、及设于电子传输层上的阴极。工作时向有机发光层发射来自阳极的空穴和来自阴极的电子,将这些电子和空穴组合产生激发性电子-空穴对,并将激发性电子-空穴对从受激态转换为基态实现发光。
OLED显示装置的制程中,为了降低制程难度以及发光材料的色度和亮度的恶化不均,通常采用包含有红色(Red,R)、绿色(Green,G)、蓝色(Bule,B)、白色(White,W)四种颜色的子像素的显示方法,即WRGB OLED显示。所述WRGB OLED显示的工作原理为利用发射白光的白光有机发光二极管以及将白光转换成红光、绿光、及蓝光的滤光片实现具有WRGB四色显示的OLED显示装置。
如图1所示,在现有WRGB OLED的像素结构中,所采用的有机发光二极管为发射白光的有机发光二极管,在红色、绿色、及蓝色子像素中均包含用于将白光分别转换为红光、绿光、及蓝光的滤光片300,而白色子像素照原样发射白光,不需要滤光片300,因此,白色子像素的白光有机发光二级管的形成层低于红色、绿色、及蓝色子像素的有机发光二极管形成层,则白色子像素中第一电极层100也低于红色、绿色、蓝色子像素的第一电极层100’,白色子像素的第一电极层100与底层走线400之间的垂直距离y1小于红色、绿色、蓝色子像素的第一电极层100’与底层走线400之间的垂直距离y2,图1中以蓝色子像素与白色子像素的结构说明。
在实际的制程中,由于处理不当(如光刻胶残留,刻蚀不净等)造成杂质的引入,容易对底层走线400与第一电极100之间垂直距离较小的白色子像素造成影响,在底层线400与第一电极100重叠的区域200中引起底层走线400与第一电极100之间的短路或过流。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示装置,能够防止白色子像素区的第一电极与底层走线之间发生短路或过流。
本发明的目的还在与提供一种OLED显示装置的制作方法,制造方法简单,易于操作,使用该制作方法制作的OLED显示装置能够防止白色子像素区的第一电极与底层走线之间发生短路或过流,提高OLED显示装置的制程良率。
为实现上述目的,本发明提供一种OLED显示装置,包括:红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区、及白色子像素区;
其中,所述白色子像素区包括:第一基板、设于所述第一基板上的底层走线和薄膜晶体管、设于所述底层走线、薄膜晶体管和第一基板上的第二绝缘层、设于第二绝缘层上的第三绝缘层、设于第三绝缘层上的第一电极、设于所述第一电极上的有机层、设于所述有机层上的第二电极、及设于第二电极上的第二基板;
所述白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分第二绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分第二绝缘层的厚度。
所述红色子像素区包括:第一基板、设于所述第一基板上的底层走线和薄膜晶体管、设于所述底层走线、薄膜晶体管和第一基板上的第二绝缘层、设于第二绝缘层上的红光滤光片、设于红光滤光片上的第三绝缘层、设于第三绝缘层上的第一电极、设于所述第一电极上的有机层、设于所述有机层上的第二电极、及设于第二电极上的第二基板;
所述绿色子像素区包括:第一基板、设于所述第一基板上的底层走线和薄膜晶体管、设于所述底层走线、薄膜晶体管和第一基板上的第二绝缘层、设于第二绝缘层上的绿光滤光片、设于绿光滤光片上的第三绝缘层、设于第三绝缘层上的第一电极、设于所述第一电极上的有机层、及设于所述有机层上的第二电极、设于第二电极上的第二基板;
所述蓝色子像素区包括:第一基板、设于所述第一基板上的底层走线和薄膜晶体管、设于所述底层走线、薄膜晶体管和第一基板上的第二绝缘层、设于第二绝缘层上的蓝光滤光片、设于蓝光滤光片上的第三绝缘层、设于第三绝缘层上的第一电极、设于所述第一电极上的有机层、设于所述有机层上的第二电极、及设于第二电极上的第二基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的