[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其是用于从在表面形成有第1氮化硅膜、并且在所述第1氮化硅膜上层叠有氧化硅膜的基板上除去所述第1氮化硅膜和所述氧化硅膜的基板处理方法，其包括：

第1磷酸处理工序，该工序向由基板保持单元保持的所述基板供给规定的第1浓度的磷酸水溶液，用该磷酸水溶液处理所述基板，以除去所述第1氮化硅膜；以及

第2磷酸处理工序，该工序在所述第1磷酸处理工序之后，接着向所述基板供给低于所述第1浓度的第2浓度的磷酸水溶液，用该磷酸水溶液处理所述基板，以除去所述氧化硅膜。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述由基板保持单元保持的所述基板是半导体基板，所述半导体基板形成有由硅构成的栅电极，在所述栅电极的侧面形成有第1氮化硅膜作为侧壁膜，并且在所述栅电极和所述第1氮化硅膜上层叠有氧化硅膜。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述基板还具有层叠于所述氧化硅膜上的第2氮化硅膜，

在所述第1磷酸处理工序之前，还包括下述的高浓度磷酸处理工序：向所述基板供给浓度高于所述第2浓度的磷酸水溶液，用该磷酸水溶液处理所述基板，以除去所述第2氮化硅膜。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述基板还具有层叠于所述氧化硅膜上的第2氮化硅膜，

在所述第1磷酸处理工序之前，还包括下述的低浓度磷酸处理工序：向所述基板供给浓度低于所述第1浓度的磷酸水溶液，用该磷酸水溶液处理所述基板，以除去所述第2氮化硅膜。

5.一种基板处理装置，其是用于从在表面形成有第1氮化硅膜、并且在所述第1氮化硅膜上层叠有氧化硅膜的基板上除去所述第1氮化硅膜和所述氧化硅膜的基板处理装置，其包括：

室；

基板保持单元，该基板保持单元收纳在所述室内，并保持所述基板；

磷酸供给单元，该磷酸供给单元用于向保持在所述基板保持单元的所述基板供给磷酸水溶液；

供给浓度调整单元，该供给浓度调整单元用于调整向所述基板供给的磷酸水溶液的浓度；以及

控制单元，该控制单元控制所述磷酸供给单元和所述供给浓度调整单元，以实行下述处理工序：第1磷酸处理工序，该工序向由所述基板保持单元保持的所述基板供给规定的第1浓度的磷酸水溶液，用该磷酸水溶液处理所述基板，以除去所述第1氮化硅膜；以及第2磷酸处理工序，该工序在所述第1磷酸处理工序之后，接着向所述基板供给低于所述第1浓度的第2浓度的磷酸水溶液，用该磷酸水溶液处理所述基板，以除去所述氧化硅膜。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，

所述由基板保持单元保持的所述基板是半导体基板，所述半导体基板形成有由硅构成的栅电极，在所述栅电极的侧面形成有第1氮化硅膜作为侧壁膜，并且在所述栅电极和所述第1氮化硅膜上层叠有氧化硅膜。

7.根据权利要求5或6所述的基板处理装置，其中，

所述磷酸供给单元包含输出磷酸水溶液的磷酸喷嘴，

所述供给浓度调整单元包含调整从所述磷酸喷嘴输出的磷酸水溶液的浓度的输出浓度调整单元。

8.根据权利要求5或6所述的基板处理装置，其中，

所述磷酸供给单元包括：供给磷酸水溶液的磷酸配管；供给水的供水配管；以及混合部，所述混合部与所述磷酸配管和所述供水配管相连，混合来自所述磷酸配管的磷酸水溶液和来自所述供水配管的水，通过所述混合部混合的磷酸水溶液从所述磷酸喷嘴输出；

所述输出浓度调整单元包含混合比调整单元，所述混合比调整单元调整所述混合部的来自所述磷酸配管的磷酸水溶液与来自所述供水配管的水的混合比。

9.根据权利要求5或6所述的基板处理装置，其中，

所述磷酸供给单元包括：输出磷酸水溶液的磷酸喷嘴；第1磷酸供给单元，该单元用于向所述磷酸喷嘴供给所述第1浓度的磷酸水溶液；以及第2磷酸供给单元，该单元用于向所述磷酸喷嘴供给所述第2浓度的磷酸水溶液，

所述供给浓度调整单元包含切换单元，所述切换单元在所述第1磷酸供给单元和所述第2磷酸供给单元之间切换向所述磷酸喷嘴供给的所述磷酸水溶液的供给源。