[发明专利]OLED显示基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种OLED显示基板，包括与内部电压连接的电源电极、至少一个薄膜晶体管和至少一个存储电容，其特征在于，所述存储电容的第一电极为掺杂后的所述薄膜晶体管的有源层，所述存储电容的第二电极为所述电源电极。

2.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，所述OLED显示基板还包括：

位于所述有源层和所述电源电极之间的所述薄膜晶体管的栅电极，所述栅电极与所述有源层之间间隔有栅绝缘层，所述栅电极与所述电源电极之间间隔有中间绝缘层。

3.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，所述电源电极与所述薄膜晶体管的源电极、漏电极位于同一层。

4.根据权利要求3所述的OLED显示基板，其特征在于，所述OLED显示基板还包括：

位于所述源电极、漏电极和电源电极之上的平坦层。

5.根据权利要求4所述的OLED显示基板，其特征在于，所述OLED显示基板还包括：

位于所述平坦层上的阳极、有机发光层和阴极，所述阳极通过所述平坦层中的过孔与所述漏电极电性连接。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的OLED显示基板，其特征在于，所述有源层为采用多晶硅制成。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的OLED显示基板。

8.一种如权利要求1-6中任一项所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成有源层的图形；

在形成有所述有源层的图形的基板上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成栅电极的图形，以栅电极的图形为掩膜，对所述有源层进行掺杂，利用掺杂后的所述有源层形成所述存储电容的第一电极；

在形成有所述栅电极的基板上形成中间绝缘层；

在所述中间绝缘层上形成所述电源电极的图形，利用所述电源电极形成所述存储电容的第二电极。

9.根据权利要求8所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上形成有源层的图形包括：

在所述基板上沉积非晶硅层，对所述非晶硅层进行激光晶化，形成多晶硅层；

通过一次构图工艺利用所述多晶硅层形成所述有源层的图形。

10.根据权利要求8所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述中间绝缘层上形成所述电源电极的图形包括：

通过一次构图工艺利用源漏金属层形成所述电源电极和源电极、漏电极。