[发明专利]用于非平面化合物半导体器件的沟道应变控制

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

多个浅沟槽隔离部件，形成在所述衬底上方；以及

第一鳍结构，形成在所述衬底上，其中，所述第一鳍结构包括：

相对的源极/漏极区域，设置在所述衬底的表面之上；

沟道区域，设置在所述相对的源极/漏极区域之间并且设置在所述衬底的表面之上；和

掩埋层，设置在所述多个浅沟槽隔离部件之间以及所述沟道区域和所述衬底之间，其中，所述第一鳍结构的掩埋层包括SiGe氧化物，

其中，所述相对的源极/漏极区域中的每个均包括设置在所述第一鳍结构的掩埋层上的晶种层以及设置在所述晶种层上的外延部分，并且所述晶种层位于所述多个浅沟槽隔离部件的顶面之上，所述多个浅沟槽隔离部件使多个所述第一鳍结构彼此隔离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一鳍结构对应于NMOS器件。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

第二鳍结构，对应于PMOS器件，并且所述第二鳍结构包括设置在所述衬底和所述第二鳍结构的沟道区域之间的掩埋层，其中，所述第二鳍结构的掩埋层不同于所述第一鳍结构的掩埋层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二鳍结构的掩埋层不包括SiGe氧化物。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述掩埋层包括具有渐变的Ge浓度的SiGe，在接近所述衬底的第一部分处的Ge浓度比在远离所述衬底的第二部分处的Ge浓度低。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述渐变的Ge浓度从20原子百分比增大至60原子百分比。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述晶种层包括Ge浓度介于20原子百分比和70原子百分比之间的SiGe。

8.一种半导体器件，包括：

衬底；

多个浅沟槽隔离部件，形成在所述衬底上方；

NMOS FinFET，形成在所述衬底上，其中，所述NMOS FinFET包括：

第一绝缘层，具有第一组成并且形成在所述多个浅沟槽隔离部件之间的所述衬底上，其中，所述第一绝缘层包括SiGe氧化物；和

n-沟道区域，形成在所述第一绝缘层上，从而所述第一绝缘层将所述n-沟道区域与所述衬底电隔离；以及

PMOS FinFET，形成在所述衬底上，其中，所述PMOS FinFET包括：

SiGe层，形成在所述多个浅沟槽隔离部件之间的所述衬底上，其中，所述SiGe层不同于所述第一组成；和

p-沟道区域，形成在所述SiGe层上，从而所述SiGe层将所述p-沟道区域与所述衬底电隔离，

其中，所述多个浅沟槽隔离部件使所述NMOS FinFET和所述PMOS FinFET彼此隔离。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘层包括渐变的Ge浓度，在接近所述衬底的所述第一绝缘层的一部分中的Ge浓度比远离所述衬底的所述第一绝缘层的一部分中的Ge浓度低。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述渐变的Ge浓度从20原子百分比增大至60原子百分比。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述NMOS FinFET包括邻近所述n-沟道区域的源极/漏极结构，并且所述源极/漏极结构包括形成在所述第一绝缘层上的晶种层以及设置在所述晶种层上的外延结构。