[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；以及

浅沟槽隔离(STI)，所述浅沟槽隔离包括与所述半导体衬底相连接的侧壁，其中，所述浅沟槽隔离从所述半导体衬底的底部突出，并且所述浅沟槽隔离包括：

底面，与所述半导体衬底的所述底部接触；

顶面，与所述底面相对，

其中，所述底面的宽度大于所述顶面的宽度；

其中，所述半导体衬底进一步包括与所述浅沟槽隔离的侧壁相连接的鳍结构，所述鳍结构包括：顶面，包括宽度，其中，所述鳍结构的所述顶面高于所述浅沟槽隔离的所述顶面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述浅沟槽隔离的宽度从所述浅沟槽隔离的所述顶面到所述底面逐渐变大。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述浅沟槽隔离的侧壁是斜面。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述浅沟槽隔离的侧壁是曲面。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述侧壁包括转折点，在所述转折点处，所述浅沟槽隔离被分成上部和下部，所述上部包括恒定的宽度，并且所述下部的宽度从所述转折点到所述底面变大。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述下部的侧壁是斜面。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述下部的侧壁是曲面。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述侧壁包括转折点，在所述转折点处，所述浅沟槽隔离被分成上部和下部，在所述转折点处的宽度大于所述浅沟槽隔离的所述顶面的宽度，并且所述底面的宽度大于所述转折点处的宽度。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述侧壁包括与所述底面邻近的突出物。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述侧壁包括至少两个转折点，在每个所述转折点处，所述浅沟槽隔离包括不同的宽度。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，所述鳍结构进一步包括：

底宽，在所述半导体衬底的底部的水平位置处，

其中，所述鳍结构的所述顶面的宽度大于所述底宽。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，进一步包括：

栅极介电层，位于所述鳍结构的所述顶面和侧壁上；以及

栅电极，位于所述栅极介电层上方。

13.一种半导体结构，包括：

半导体衬底，包括第一区和第二区，其中，所述第一区包括有源区的微间距，并且所述第二区包括有源区的大间距；

第一浅沟槽隔离(STI)，位于所述第一区中，包括与所述半导体衬底相连接的侧壁，其中，所述第一浅沟槽隔离从所述半导体衬底的底部突出，并且所述第一浅沟槽隔离包括：

底面，与所述半导体衬底的底部接触；

顶面，与所述底面相对，

其中，所述底面的宽度大于所述顶面的宽度；以及

第二浅沟槽隔离(STI)，位于所述第二区中，包括与所述半导体衬底相连接的侧壁，其中，所述第二浅沟槽隔离从所述半导体衬底的底部突出，并且所述第二浅沟槽隔离包括：

底面，与所述半导体衬底的所述底部接触；

顶面，与所述底面相对，

其中，所述底面的宽度大于所述顶面的宽度；

其中，所述半导体衬底进一步包括鳍结构，所述鳍结构包括：顶面，其中，所述鳍结构的所述顶面高于所述第一浅沟槽隔离的所述顶面和所述第二浅沟槽隔离的所述顶面。