[发明专利]熔丝结构以及其监控方式

权利要求书

1.一种熔丝结构的监控方式，包括：

提供熔丝结构，该熔丝结构包含：

基底，该基底包括浅沟绝缘区以及主动区；

熔丝主体，至少部分该熔丝主体设置于该主动区上；

阳极以及阴极，分别设置于该熔丝主体的两端，且位于该浅沟绝缘区上；以及

辅助元件，该辅助元件包括源极区以及漏极区，分别设置于该熔丝主体的两相对侧，且位于该主动区上，该辅助元件用以监控并诊断该熔丝主体，且该熔丝主体与该源极区以及该漏极区电性分离；

施加一漏极电压信号至该辅助元件的该漏极区；

施加一栅极电压信号至该熔丝主体；

分析由该源极区所获得的一信号以诊断该熔丝主体的状况，其中该栅极电压信号为一栅极电压脉冲信号，且由该源极区所获得的该信号为一反应电压脉冲信号；以及

比对该栅极电压脉冲信号与该反应电压脉冲信号的时序与波形。

2.如权利要求1所述的熔丝结构的监控方式，其中该辅助元件还包括栅极，且该栅极包括该源极区与该漏极区之间的部分的该熔丝主体。

3.如权利要求1所述的熔丝结构的监控方式，其中该辅助元件的该源极区与该漏极区设置于该基底中。

4.如权利要求1所述的熔丝结构的监控方式，其中该熔丝主体包括硅层以及硅化物层设置该硅层之上。

5.如权利要求1所述的熔丝结构的监控方式，还包括氧化物层，设置于该熔丝主体与该基底之间。

6.如权利要求1所述的熔丝结构的监控方式，其中该浅沟绝缘区围绕该辅助元件的该源极区与该漏极区。

7.如权利要求1所述的熔丝结构的监控方式，其中该源极区与该漏极区是该基底中的掺杂区。

8.如权利要求1所述的熔丝结构的监控方式，其中该基底包括硅基底或硅覆绝缘基底。