[发明专利]一种阵列基板的掺杂方法和掺杂设备

权利要求书

1.一种阵列基板的掺杂方法，其特征在于，所述掺杂方法包括：

提供基板，所述基板上定义有待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区；

通过光刻工艺在所述基板上形成光阻层，其中，所述光阻层对应所述待重掺杂区形成第一光阻部，对应所述待轻掺杂区形成第二光阻部，对应所述待掺杂沟道区形成第三光阻部，所述第一光阻部比所述第二光阻部薄，所述第二光阻部比所述第三光阻部薄；

经所述光阻层对所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区进行一次掺杂，以一次形成分别与所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区对应的重掺杂区、轻掺杂区和沟道区。

2.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述基板包括基板主体以及设置在基板主体上的多晶硅层，其中所述多晶硅层上定义有所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区。

3.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述通过光刻工艺在所述基板上形成光阻层的步骤包括：

在所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区上设置均匀厚度的光刻胶；

通过光掩膜板对所述光刻胶进行曝光，其中，所述光掩膜板包括第一透光部、第二透光部以及第三透光部，所述第一透光部、第二透光部以及第三透光部的透光率依次增大或依次减小；

利用显影液对曝光后的所述光刻胶进行显影，以形成对应所述第一透光部的第一光阻部，对应所述第二透光部的第二光阻部以及对应所述第三透光部的第三光阻部。

4.根据权利要求3所述的掺杂方法，其特征在于，所述光掩膜板为半色调光罩或灰阶光罩；所述半色调光罩对应所述第二光阻部的第二透光部为半透光膜，所述半透光膜的透过率在0～100％之间；所述灰阶光罩对应所述第二光阻部的第二透光部具有至少一条狭缝，以遮挡部分光源实现半透光效果，所述狭缝控制透过率在0～100％之间。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的掺杂方法，其特征在于，所述经所述光阻层对所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区进行一次掺杂的步骤包括：

采用扩散法或离子注入工艺经所述光阻层对所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区进行一次掺杂，以一次形成分别与所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区对应的重掺杂区、轻掺杂区和沟道区。

6.一种阵列基板的掺杂设备，其特征在于，所述掺杂设备包括：

光刻装置，用于在基板上形成光阻层，其中，所述基板上定义有待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区；所述光阻层对应所述待重掺杂区形成第一光阻部，对应所述待轻掺杂区形成第二光阻部，对应所述待掺杂沟道区形成第三光阻部，所述第一光阻部比所述第二光阻部薄，所述第二光阻部比所述第三光阻部薄；

以及掺杂装置，用于经所述光阻层对所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区进行一次掺杂，以一次形成分别与所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区对应的重掺杂区、轻掺杂区和沟道区。

7.根据权利要求6所述的掺杂设备，其特征在于，所述基板包括基板主体以及设置在基板主体上的多晶硅层，其中所述多晶硅层上定义有所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区。

8.根据权利要求6所述的掺杂设备，其特征在于，所述光刻装置包括光刻胶、光掩膜板、显影液以及曝光光源；

其中，所述光刻胶以均匀的厚度设置在所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区上；

所述光掩膜板包括第一透光部、第二透光部以及第三透光部，所述第一透光部、第二透光部以及第三透光部的透光率依次增大或依次减小；

所述曝光光源通过所述光掩膜板对所述光刻胶进行曝光；

所述显影液对曝光后的所述光刻胶进行显影，以形成对应所述第一透光部的第一光阻部，对应所述第二透光部的第二光阻部以及对应所述第三透光部的第三光阻部。

9.根据权利要求8所述的掺杂设备，其特征在于，所述光掩膜板为半色调光罩或灰阶光罩；所述半色调光罩对应所述第二光阻部的第二透光部为半透光膜，所述半透光膜的透过率在0～100％之间；所述灰阶光罩对应所述第二光阻部的第二透光部具有至少一条狭缝，以遮挡部分光源实现半透光效果，所述狭缝控制透过率在0～100％之间。

10.根据权利要求6-9中任一项所述的掺杂设备，其特征在于，所述掺杂装置采用扩散法或离子注入工艺经所述光阻层对所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区进行一次掺杂，以一次形成分别与所述待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区对应的重掺杂区、轻掺杂区和沟道区。