[发明专利]一种多晶硅锭制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅锭制备方法，其特征在于按照如下步骤进行：

步骤一、将报废硅片，在清洗洁净后，通过加工和筛网分选得到直径为4-6mm碎硅片；

步骤二、把碎硅片在坩埚装料前均匀铺在石英坩埚底部，碎硅片上面用大块边皮料、头尾料覆盖，然后把硅片生产原料加入石英坩埚，把石英坩埚投放到多晶硅铸锭炉里；

步骤三、在化料过程中，控制顶部温区温度为1550℃、侧面温区温度从上到下成梯度从1550℃到1316℃、底部温区温度1316℃，使硅料融化过程中从坩埚顶部向坩埚底部融化；

步骤四、采用长晶速率测试装置，实时测试硅料融化情况，在距离坩埚底部20mm时结束化料，进入长晶阶段；

步骤五、在长晶阶段，以碎硅片作为籽晶，通过调节上锡池、下锡池、以及锡液流速，使坩埚内部形成纵向的温度梯度、横向等温的温度环境，控制以1.3±0.1cm/h的速率稳定生长，获得柱状多晶硅锭。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅锭制备方法，其特征在于：步骤二中多晶硅铸锭炉通过锡液对石英坩埚加热，石英坩埚柱面盘绕有耐火管，石英坩埚上顶面有上锡池，石英坩埚下底面有下锡池，上锡池和下锡池通过加温池连接，石英坩埚表面上有多个测温装置，锡液从上锡池通过耐火管流入下锡池，耐火管上有流量调节阀门。