[发明专利]一种具有抗辐照性能的VDMOS器件制造方法有效
| 申请号： | 201410770922.0 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104576398B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 赵元富;张文敏;王传敏 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心11009 | 代理人： | 臧春喜 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 辐照 性能 vdmos 器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有抗辐照性能的VDMOS器件制造方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)选取硅外延片，通过光刻刻蚀技术在硅外延片的正面形成有源区及终端环；
(2)在步骤(1)的有源区通过热氧化形成一层二氧化硅栅氧化层；
(3)在步骤(2)的栅氧化层上蒸发一层金属铝；
(4)把经过步骤(3)处理后的硅片放置在高温扩散炉中，使金属铝扩散到二氧化硅栅氧化层中；
(5)在掺杂铝的二氧化硅栅氧化层上淀积一层多晶硅，通过光刻刻蚀形成多晶硅栅；
(6)通过硼注入及扩散工艺形成p-body区及P+区，通过磷注入及扩散工艺形成源区；
(7)在经过步骤(6)处理后的硅片上淀积二氧化硅介质层，刻蚀二氧化硅形成接触孔，然后进行正面金属化、钝化、刻蚀PAD区、减薄，最后进行背面金属化工艺，完成VDMOS器件制造。
2.根据权利要求1所述的一种具有抗辐照性能的VDMOS器件制造方法，其特征在于：所述步骤(2)中二氧化硅栅氧化层的厚度为
3.根据权利要求1所述的一种具有抗辐照性能的VDMOS器件制造方法，其特征在于：所述步骤(3)中金属铝的厚度为
4.根据权利要求1所述的一种具有抗辐照性能的VDMOS器件制造方法，其特征在于：所述步骤(4)中高温扩散炉的温度为800—1300℃，扩散时间为10—300min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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